SRAM Memory | N01L6183A

1 Mb、1.8 V 低電力 SRAM

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N01L6183A は、4 メガビットの静的ランダム・アクセス・メモリを含む統合メモリ・デバイスで、65,536 ワード、16 ビットで構成されています。これらのデバイスは、オン・セミコンダクターにより高度な CMOS 技術を使用して設計および製造され、高速性能と超低電力の両方を提供します。このデバイスは、単一のチップ・イネーブル (CE) 制御と出力イネーブル (OE) で動作し、メモリの拡張を容易にします。バイト・コントロール (UB および LB) を使用すると、上位バイトと下位バイトに個別にアクセスできます。N01L6183A は、バッテリのバックアップやハンドヘルド・デバイスなど、低電力が重要なさまざまなアプリケーションに最適です。このデバイスは、-40°C 〜 +85°C の非常に広い温度範囲で動作し、他の標準 64 kb x 16 SRAM と互換性のある JEDEC 標準パッケージで提供されます。

  • Single wide power supply range - 1.65 to 2.2 V
  • Very low standby current - 0.5 A at 1.8 V (Typical)
  • Very low operating current - 0.7 mA at 1.8 V and 1 s (Typical)
  • Very low page mode operating current - 0.5 mA at 1.8 V and 1 s (Typical)
  • Simple memory control: single chip enable (CE), byte control for independent byte operation, output enable (OE) for memory expansion
  • Low voltage data retention
  • 30 ns OE access time
  • Automatic power down to standby mode
  • TTL compatible three-state output driver
  • Compact space saving BGA package available

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