Name: Serial SRAM Memory, Ultra-Low-Power, 1 Mb, 1.7 - 2.2 V
Brand: Serial SRAM Memory, Ultra-Low-Power, 1 Mb, 1.7 - 2.2 V
SKU: N01S818HA

シリアル SRAM メモリ、超低電力、1 Mb、1.7 ～ 2.2 V

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Datasheet

CAD Model

Overview

オン・セミコンダクターのシリアル SRAM ファミリには、内部的に 8 ビットで 128 K ワードとして編成されたこの 1Mb シリアル・アクセス静的ランダム・アクセス・メモリを含むいくつかの統合メモリ・デバイスが含まれています。これらのデバイスは、オン・セミコンダクターの高度な CMOS テクノロジを使用して設計および製造され、高速性能と低電力の両方を提供します。デバイスはシングルチップ・セレクト (CS) 入力で動作し、シンプルなシリアル・ペリフェラル・インタフェース (SPI) プロトコルを使用します。SPI モードでは、単一のデータ入力 (SI) およびデータ出力 (SO) ラインがクロック (SCK) とともに使用され、デバイス内のデータにアクセスします。DUAL モードでは、2 つの多重化されたデータ入力/データ出力 (SIO0-SIO1) ラインが使用され、QUAD モードでは、4 つの多重化されたデータ入力/データ出力 (SIO0-SIO3) ラインがクロックとともに使用され、メモリにアクセスします。これらのデバイスは、−40°C ～ +85°C の広い温度範囲で動作可能で、8 リード TSSOP パッケージで提供されます。

最終製品

Patient Monitor
Smart Meter
Cardiac Monitoring Device
Event Recorder
Alarm System
MP3 Interface for Automobiles
Medical Monitoring Device
Game Controller
IP Camera Buffer
Battery Charger
Laser Receiver System
GPS Offender Tracking
Programmable Logic Controller
IP Radio

特長

Power Supply Range: 1.7 to 2.2 V
Very Low Typical Standby Current: <1 µA
Very Low Operating Current < 10 mA
Simple Serial Interface:
- Single-bit SPI Access
- DUAL-bit and QUAD-bit SPI-like Access
Flexible Operating Modes- Word Mode - Page Mode- Burst Mode (Full Array)
High Frequency Read and Write Operation
- Clock Frequency 20 MHz
Built-in Write Protection (CS High)
High Reliability - Unlimited Write Cycles
These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant- Green TSSOP

材料組成

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

Type

Density

Organization (bits)

f_cycle Max (MHz)

V_CC Min (V)

V_CC Max (V)

I_standby Typ (µA)

Reference Price

N01S818HAT22I

Active

TSSOP-8

948BJ

260

TUBE

100

Serial

1 Mb

128k x 8

1.7

2.2

$2.9337

N01S818HAT22IT

Active

TSSOP-8

948BJ

260

REEL

3000

Serial

1 Mb

128k x 8

1.7

2.2

$2.5617

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シリアル SRAM メモリ、超低電力、1 Mb、1.7 ～ 2.2 V

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