SRAM Memory | N04L63W2A

4 Mb、3 V 並列 SRAM メモリ

Datasheet

製品

Overview

N04L63W2A は、4 メガビットの静的ランダム・アクセス・メモリを含む統合メモリ・デバイスで、262,144 ワード、16 ビットで構成されています。これらのデバイスは、オン・セミコンダクターにより高度な CMOS テクノロジを使用して設計および製造され、高速性能と超低電力の両方を提供します。このデバイスは、2 つのチップ・イネーブル (CE1 および CE2) 制御と出力イネーブル (OE) で動作し、メモリの拡張を容易にします。バイト・コントロール (UB および LB) を使用すると、上位バイトと下位バイトに個別にアクセスでき、デバイスの選択を解除することもできます。N04L63W2A は、バッテリのバックアップやハンドヘルド・デバイスなど、低電力が重要なさまざまなアプリケーションに最適です。このデバイスは、-40°C 〜 + 85°C の非常に広い温度範囲で動作し、他の標準 256 kb x 16 SRAM と互換性のある JEDEC 標準パッケージで提供されます。

  • Single wide power supply range - 2.3 to 3.6 V
  • Very low standby current - 4.0 µA at 3.0 V (Typical)
  • Very low operating current - 2.0 mA at 3.0 V and 1 µs (Typical)
  • Very low page mode operating current - 0.8 mA at 3.0 V and 1 µs (Typical)
  • Simple memory control: Dual chip enable (CE1 and CE2), output enable (OE) for memory expansion
  • Low voltage data retention
  • 25 ns OE access time
  • Automatic power down to standby mode
  • TTL compatible three-state output driver
  • Compact space saving BGA package available

Tools and Resources

Product services, tools and other useful resources related to N04L63W2A

CAD Model

CAD Model

材料組成

製品変更通知

Product List

If you wish to buy products or product samples, please log in to your onsemi account.

検索

Close Search

製品:

0

共有

並べ替え

Product Groups:

┗

Orderable Parts:

0

製品

状態

CAD Models

Hmmm...
We're sorry, we couldn't find any matches for that search term.
Double check your search for any typos or spelling errors or try a different search term.

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

1
contact sales icon

Support on the go

Find and compare products, get support and connect with onsemi sales team.