SRAM Memory | N04L63W2A

4 Mb、3 V 並列 SRAM メモリ

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N04L63W2A は、4 メガビットの静的ランダム・アクセス・メモリを含む統合メモリ・デバイスで、262,144 ワード、16 ビットで構成されています。これらのデバイスは、オン・セミコンダクターにより高度な CMOS テクノロジを使用して設計および製造され、高速性能と超低電力の両方を提供します。このデバイスは、2 つのチップ・イネーブル (CE1 および CE2) 制御と出力イネーブル (OE) で動作し、メモリの拡張を容易にします。バイト・コントロール (UB および LB) を使用すると、上位バイトと下位バイトに個別にアクセスでき、デバイスの選択を解除することもできます。N04L63W2A は、バッテリのバックアップやハンドヘルド・デバイスなど、低電力が重要なさまざまなアプリケーションに最適です。このデバイスは、-40°C 〜 + 85°C の非常に広い温度範囲で動作し、他の標準 256 kb x 16 SRAM と互換性のある JEDEC 標準パッケージで提供されます。

  • Single wide power supply range - 2.3 to 3.6 V
  • Very low standby current - 4.0 µA at 3.0 V (Typical)
  • Very low operating current - 2.0 mA at 3.0 V and 1 µs (Typical)
  • Very low page mode operating current - 0.8 mA at 3.0 V and 1 µs (Typical)
  • Simple memory control: Dual chip enable (CE1 and CE2), output enable (OE) for memory expansion
  • Low voltage data retention
  • 25 ns OE access time
  • Automatic power down to standby mode
  • TTL compatible three-state output driver
  • Compact space saving BGA package available

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