Level Translators | FXL4T245

低電圧デュアル電源 4 ビット信号トランスレータ、構成可能な電圧源および信号レベル、3 ステート出力付き

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Overview

FXL4T245 は構成可能なデュアル電圧電源トランスレータであり、2 つの電圧レベルの間で信号の双方向電圧トランスレーションにも対応できるよう設計されています。電圧トランスレーションが可能なのは、上は 3.6V まで、下は 1.1V までです。ポート A が VCCA レベルを、ポート B は VCCB レベルを追跡します。両ポートとも 1.1V から 3.6V の供給電圧レベルを許容できるように設計されています。これにより、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V の電圧レベルで双方向の電圧変換が可能になります。このデバイスは、双方の VCC がアクティブ・レベルに到達するまでは 3 ステートのままなので、どちらの VCC を先にパワーアップしても大丈夫です。このデバイスは、いずれかの VCC が削除されると、内蔵パワーダウン制御回路によって 3 ステートになるパワー・ダウン制御回路も含まれています。送信/受信 (T/R#) 入力でデバイスを通じてデータフローの方向を決定します。OE# 入力は、HIGH になると、ポート A と B の両方が 3 ステート状態になり、双方が無効になります。FXL4T245 は VCCA により制御ピン (T/R#n、OE#n) が供給されるように設計されています。

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  • 1.1V～3.6Vまでの任意2レベル間の双方向インターフェース
  • 完全な構成可能、入力はVCCレベルに追随
  • 優先電源投入シーケンスはない。どちらのVCCに電源を先に入れてもかまわない
  • パワーアップシーケンスは必要ない
  • アクティブのVCCレベルに達するまで出力は3ステートのまま
  • どちらかのVCCがGNDの場合には、出力は3ステートに切り替わる
  • 電源オフ保護
  • 制御入力(T/R#、OE#)レベルはVCCA電圧を基準とする
  • 14端子DQFN (2.5mm x 3.0mm)パッケージ
  • ESD保護は以下の規格を越えている：
  • 4kV HBM ESD (JESD22-A114 & Mil Std 883e 3015.7に従う)
  • 8kV HBM I/OからGND ESD (JESD22-A114 & Mil Std 883e 3015.7に従う)
  • 1kV CDM ESD (ESD STM 5.3に従う)
  • 200V MM ESD (JESD22-A115 & ESD STM5.2に従う)

材料組成

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MSL Temp (°C)

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VCC Min (V)

VCC Max (V)

tpd Max (ns)

IO Max (mA)

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FXL4T245BQX

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Pb

A

H

P

QFN-14

510CB

1

260

REEL

3000

Y

4

CMOS

1.1

3.6

3.5

24

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