低電圧デュアル電源 4 ビット信号トランスレータ (電圧源/信号レベル構成可能、3 相出力対応、独立の方向制御)

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Overview

FXL4TD245 は、構成可能な 4 ビットのデュアル電圧電源トランスレータであり、2 つのロジック・レベルの間での単方向と双方向のいずれの電圧トランスレーションにも対応できるよう設計されています。電圧トランスレーションが可能なのは、上は 3.6V まで、下は 1.1V までです。ポート A は VCCA レベル、ポート B は VCCB レベルを追跡します。これにより、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V の電圧レベルで双方向の電圧変換が可能になります。双方の VCC がアクティブ・レベルに到達するまでは 3 相のままであるため、どちらの VCC を先にパワーアップしてもかまいません。いずれかの VCC が削除されると、内蔵パワーダウン制御回路によって 3 ステートになります。送信/受信 (T/R) 入力は、このデバイスを通じてデータフローの方向を決定します。OE 入力が HIGH になると、ポート A と B の両方が 3 相状態になり、双方が無効になります。FXL4TD245 は、VCCA により制御ピン (T/R および OE) が供給されるように設計されています。

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  • 1.1Vから 3.6Vまで任意2レベル間の双方向インターフェース
  • 完全に構成可能: 入力トラック VCC レベル
  • 非特恵電源投入シーケンス。いずれかのVCCが最初に電源が入ります。
  • アクティブVCCレベルに達するまで出力は3ステートの状態でいます。
  • どちらかのVCCがGNDにある場合出力は3ステートにスイッチします
  • 電源オフ保護
  • コントロールピン(T/Rn、OE)レベルは VCCA の電圧を参照します。
  • 32端子DQFN(2.5mm x 3.5mm)と16端子MicroMLP (1.8mm x 2.6mm)にパッケージ化
  • ESD保護超過:
  • 4kV HBM ESD(JESD22-A114 & Mil Std 883e 3015.7に準拠)
  • 8kV HBM I/O - GND ESD (JESD22-A114 & Mil Std 883e 3015.7に準拠)
  • 1kV CDM ESD (ESD STM 5.3)
  • 200V MM ESD (JESD22-A115 & ESD STM5.2に準拠)

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VCC Max (V)

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IO Max (mA)

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FXL4TD245BQX

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Pb

A

H

P

WQFN-16

1

260

REEL

3000

Y

4

CMOS

1.1

3.6

3.5

24

$0.2015

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FXL4TD245UMX

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Pb

A

H

P

UQFN-16

1

260

REEL

5000

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4

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3.6

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