Level Translators | FXLH1T45

構成可能な電圧電源とバスホールド・データ入力を備えた、低電圧 1 ビット双方向レベル・トランスレータ (詳細情報)

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Datasheet

製品

Overview

FXLH1T45 はシングル・ビットの構成可能なデュアル電圧電源トランスレータであり、2 つのロジックレベルの間での単方向と双方向のいずれの電圧トランスレーションにも対応できるよう設計されています。電圧トランスレーションが可能なのは、上は 3.6V まで、下は 1.1V までです。ポート A は VCCA レベルを追跡し、ポート B は VCCB レベルを追跡します。これにより、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V の電圧レベルで双方向の電圧変換が可能になります。双方の VCC がアクティブ・レベルに到達するまでは 3 相のままであるため、どちらの VCC を先にパワーアップしてもかまいません。いずれかの VCC が削除されると、内蔵パワーダウン制御回路によって 3 相になります。送信/受信 (T/R) 入力は、このデバイスを通じてデータフローの方向を決定します。FXLH1T45 は、VCCA により制御ピン (T/R) が供給されるように設計されています。

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  • 1.1Vから 3.6Vまで任意2レベル間の双方向インターフェース
  • 完全にコンフィギャラブル: 入力トラック VCC レベル
  • 非優先電源投入シーケンス、いずれかのVCCが最初に電源が入ります。
  • アクティブVCCレベルに達するまで出力は3ステートの状態でいます。
  • どちらかのVCCがGNDにある場合出力は3ステートにスイッチします
  • 電源オフ保護
  • データ入力のバスホールド機能により外部プルアップ/プルダウン抵抗が不要になります
  • コントロール入力（T/R）レベルは VCCAの電圧に参照されます。
  • MicroPak6（1.0mm x 1.45mm）にパッケージ化
  • ESD保護を超えています: – 4kV HBM ESD (JESD22-A114 と Mil Std 883e 3015.7あたり) – 8kV HBM I/O to GND ESD (JESD22-A114 と Mil Std 883e 3015.7あたり) – 1kV CDM ESD (ESD STM 5.3あたり) – 200V MM ESD (JESD22-A115 & ESD STM5.2あたり)

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FXLH1T45L6X

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127EB

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3.6

3.5

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信頼性データ

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Device: FXLH1T45L6X

Equivalent to wafer fab process: CMOS SUB

製品技術

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等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

CMOS SUB

2

920154574

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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