ワイドバンドギャップソリューション
炭化ケイ素（シリコンカーバイド、SiC）および窒化ガリウム（ガリウムナイトライド、GaN）は、高性能パワーコンバージョンや電気自動車向けの次世代の素材です。これらのワイドバンドギャップ （WBG）素材は、下記の分野において、今後の高性能アプリケーションに貢献します。
5Gコミュニケーション
オン・セミコンダクターは、パワーマネジメント製品の大手プロバイダーとして、SiCダイオードとSiC MOSFET、GaN HEMT、SiCおよびGaNドライバ、統合モジュールなどのワイドバンドギャップ・パワー設計をサポートするために、完全なパーツのエコシステムを開発しています。
高信頼性：
オン・セミコンダクターのSiCデバイスは、厳しい環境条件に対し優れた堅牢性を有する、特許取得済みの終端構造を備えています。
H3TRB テスト（高温、高湿、逆バイアス）、85C/85% RH/85% V (960V)
堅牢性
オン・セミコンダクターのショットキーバリアSiCダイオードは、 リークに関して常にクラス最高の性能を持続します。
SiCダイオードの耐久性 – 逆リーク
耐久性：
SiCダイオードの耐久性 - サージとアバランシェ
オン・セミコンダクター SiCダイオード 650V/30A のサージ電流波形
オン・セミコンダクター SiCダイオード 650V/30A のアバランシェ電流
- Tj-maxによりデバイスのアバランシェ能力が制限される
- 故障に対するテストは一貫性と再現性があり安定したプロセスと示された
高速なスイッチング周波数 | 低い電力損失 | 高効率高電力密度
部品数の削減 | 小型化 | 低重量
| アプリケーションノート | タイトル |
|---|---|
| AND9691/D | SiC MOSFETsアプリケーション |
| AND9932/D | NCP51820 GaNドライバ、PCB設計とレイアウト |
| デザインノート | タイトル |
| DN05067/D | オールインワン・ワークステーシ ョンでのGaN HEMTの活用 |
| DN05107/D | 3.3KWオンボードEV充電 |
| ホワイトペーパー | タイトル |
| TND6237/D | SiC MOSFETs:ゲートドライバの最適化 |
| TND6260/D | 現代のパワーエレクトロニクスデバイス向け、物理ベース、スケーラブルなSPICEモデル手法 |
| シミュレーションモデル | タイトル |
| SiC ダイオードシミュレーション | |
| チュートリアル | タイトル |
| WVD17218/D | ワイドバンドギャップのエコシステム：高速スイッチと破壊的（超革新的）なシミュレーション環境 |
| ビデオ | タイトル |
| WVD17183/D | ワイドバンドギャップデモンストレーション |
シリコンカーバイトの超革新的
な技術でサイズ縮小＆効率向上
設計サポート：
当社は物理的なSpiceモデルを提供することで、コストが高い測定サイクルのかわりにシミュレーションによるアプリケーション性能の把握をサポートします。当社の予測離散モデリングにより、RDS（on）などのコンポーネントレベルの性能指数だけでなく、効率などのシステムレベルの性能指数に合わせて部品を最適化できる、システムレベルのシミュレーションを可能にします。
標準規格：
オン・セミコンダクターは、JEDECワイドバンドギャップ標準化委員会のメンバーです。 ワイドバンドギャップ（WBG）のパワーテクノロジーの採用を促進するために、共通の基準の開発に貢献しています。
