シリコンカーバイド (SiC)

オンセミのEliteSiC製品は、当社のエンドツーエンドのSiC製造能力とともに優れた性能と厳格な品質基準を提供します。

テクノロジー

シリコンカーバイド (SiC) ダイオード

これらの製品は全く新しい技術を採用し、シリコン製品に比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を提供します。

Many people have been using silicon diodes in their machinery, but there is a new option for those looking for better efficiency. SiC diodes are diodes that allow for higher switching performance. They have greater power density and overall increased efficiency. Their reduced energy loss also helps to lower system costs.

Compared to silicon diodes, silicon carbide diodes are more efficient and resistant to high temperatures. They work at high frequencies and higher voltages. Since SiC diodes have faster recovery times than silicon diodes, they're ideal for any kind of current that requires a quick transition from blocking to conducting stages. They also don't get as hot as silicon, allowing them to be used in higher-temperature applications with more efficiency.

シリコンカーバイド (SiC) MOSFET

これらの製品は高速かつ堅牢に設計されており、サイズとコストを低減した高効率なシステムの設計を可能にします。

MOSFETs are metal–oxide–semiconductor field-effect transistors with insulated gates. These silicon carbide MOSFETs have a higher blocking voltage and higher thermal conductivity than silicon MOSFETs, despite having similar design elements. SiC power devices also have a lower state resistance and 10 times the breakdown strength of regular silicon. In general, Systems with SiC MOSFETs have better performance and increased efficiency when compared to MOSFETs made with silicon material.

There are many advantages to choosing SiC MOSFETs over silicon MOSFETs, such as higher switching frequencies. High-temperature development is also not a concern when using SiC MOSFET modules because these devices can operate efficiently even in high heat. Additionally, with SiC MOSFETs, you benefit from a more compact product size because all components (inductors, filters, etc.) are smaller.

Silicon Carbide (SiC) MOSFETs Bare Die
onsemi's Silicon Carbide(SiC) bare dies are optimized for use in high power applications such as EV Traction inverters, DC-DC converters, and off-board chargers.

パワーモジュール

シリコンカーバイド(SiC)モジュール

これらの製品は、SiC MOSFETとSiCダイオードを統合しています。昇圧モジュールはソーラーインバータのDC-DCステージに使用され、定格電圧1200 VのSiC MOSFETとSiCダイオードを使用しています。

Si/SiC ハイブリッドモジュール

Si/SiCハイブリッドモジュールは、IGBT、シリコンダイオード、SiCダイオードを統合しており、ソーラーのDC-ACステージで使用されます。

シリコンカーバイド (SiC)の安定供給


継続的な供給への信頼

それがオンセミの強みです。

詳細

EliteSiC Power Modules for Traction Inverter

The EliteSiC power modules offer bare die solutions, gel-encapsulated case modules, and transfer molded modules, all incorporating full SiC MOSFETs.

  • Direct - Single-Side Direct Cooling, 6 Pack
  • B2 - Single-Side Cooling, Half Bridge

フルSiC & ハイブリッドSiCモジュール

オンセミのパッケージ技術は、次の点を最適化しています。

  • 優れた性能
  • ディスクリートデバイスより低い熱抵抗
  • 業界標準のピン配置に適合し、実装が容易なパッケージ

より高速なスイッチング、よりコンパクトな最終製品

1200V M3S EliteSIC MOSFETは、業界をリードする競合製品と比較して、ハードスイッチングアプリケーションで電力損失を最大20%削減します。

SiC MOSFET

EliteSiCファミリ

EliteSiC MOSFETファミリ

ファミリ

シリーズ

650 V

900 V

1200 V

1700 V

主な用途

M1

詳細

M1

On-Board Charger UPS/Energy Storage DC Fast EV Charging Solar Inverter High Power Industrial Traction

More Details

M2

詳細

M2

On-Board Charger DC Fast EV Charging High Power Industrial Solar Inverter

More Details

M3

詳細

M3S

On-Board Charger DC Fast EV Charging Solar Inverter

More Details

M3T

UPS/Energy Storage Traction High Power Industrial

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ファミリ

電圧

最適化

最適な用途

M1

1200V, 1700V

大きいダイ寸法で低いRTH


スイッチング損失と導通損失のバランス

  • ソリッドステートリレー(SSR)
  • トラクション&モータドライバ
  • ハードスイッチングアプリケーション

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M2

650V, 750V, 1200V

低速域アプリケーション用 最低RDS(ON)

  • ソリッドステートリレー(SSR)
  • トラクション&モータドライバ

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M3

1200V

15V〜18Vゲート駆動による高速スイッチングアプリケーション

  • ハードスイッチング・アプリケーション
  • LLC共振アプリケーション

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EliteSiCダイオードファミリ

ファミリ

650 V

900 V

1200 V

1700 V

主な用途

D1

詳細

On-Board Charger UPS/Energy Storage DC Fast EV Charging Solar Inverter High Power Industrial

More Details

D2

詳細

On-Board Charger DC Fast EV Charging High Power Industrial

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D3

詳細

On-Board Charger UPS/Energy Storage DC Fast EV Charging Solar Inverter High Power Industrial

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ファミリ

電圧

最適化

最適な用途

D1

650V, 1200V, 1700V

大きいダイ寸法でRTHが低く、サージ定格電流が最も高い

  • ウィーン整流器入力段

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D2

650V

低VF高速スイッチング

  • PFCステージ
  • 出力整流

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D3

1200V

低VF高速スイッチング

  • PFCステージ
  • 出力整流

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Resources

評価/開発キット

Evaluation kits and boards for silicon carbide products.

技術資料

All related documentation for silicon carbide products.

Supercharging Next Gen EV with EliteSiC Power Modules for Traction Inverter

Discover how onsemi's end to end silicon carbide solutions, including onboard charging (OBC), revolutionize sustainable energy for tomorrow.

The Future of Silicon Carbide Power Device Manufacturing is Vertically Integrated

Find out three compelling reasons to source your silicon carbide power devices from a vertically integrated supplier.

Delivering Tomorrow's Energy with onsemi’s Bidirectional OBC & Sustainable Solutions

EliteSiC modules offer increased performance, better efficiency, and higher power density in similar and highly compatible packaging solutions.

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