Silicon Carbide (SiC) Products

シリコンカーバイド（SiC）

オンセミ（onsemi）のEliteSiC製品は、当社のエンドツーエンドのSiC製造能力とともに優れた性能と厳格な品質基準を提供します。

テクノロジー

シリコンカーバイド（SiC）ダイオード

これらの製品は全く新しい技術を採用し、シリコン製品に比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を提供します。

パラメトリックテーブル

シリコンカーバイド（SiC）MOSFET

これらの製品は高速かつ堅牢に設計されており、サイズとコストを低減した高効率なシステムの設計を可能にします。

パラメトリックテーブル

パワーモジュール

シリコンカーバイド(SiC)モジュール

これらの製品は、SiC MOSFETとSiCダイオードを統合しています。昇圧モジュールはソーラーインバータのDC-DCステージに使用され、定格電圧1200 VのSiC MOSFETとSiCダイオードを使用しています。

パラメトリックテーブル

Si/SiC ハイブリッドモジュール

Si/SiCハイブリッドモジュールは、IGBT、シリコンダイオード、SiCダイオードを統合しており、ソーラーのDC-ACステージで使用されます。

パラメトリックテーブル

完全なエンドツーエンドのSiCサプライチェーン

オンセミはSiCデバイスの供給を保証するため、SiC基板から組立、パッケージングまで社内サプライチェーンを構築し、持続可能なエコシステムの急速な成長を支えます。

SiC基板

エピ層のRDS(ON)とVDS(max) 設定方法

エピ層とは何か？オンセミのプレーナー型SiC MOSFETの基本動作原理を用いて、その概念を説明します。

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品質と信頼性

オンセミのEliteSiC製品は品質と信頼性を保証します。

SiC材料は新しいものではありませんが、業界にはシリコンと同じレベルのSiC製造データがありません。オンセミのSiC製品認定および信頼性試験への取り組みは、高品質で信頼性の高いSiC製品の提供を可能にします。

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市場投入までの時間を短縮

設計の現実を正確に予測する物理的でスケーラブルな SPICE モデル

SPICEモデリングはすべて同じではないことをご存知でしょうか？ オンセミのSPICEモデルは、シミュレーションの結果を次の段階に引き上げ、製品の市場投入までの時間を短縮します。

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SiC のエンドツーエンド製造能力で持続可能な未来を促進

オンセミのSiCエンドツーエンド製造は、より持続可能な未来に貢献しています。この製造能力とEliteSiC製品ファミリは、EV、エネルギーインフラ、産業用ドライブ・アプリケーションのニーズを満たす、優れた性能と厳格な品質基準の製品を提供します。

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オンセミのEliteSiC製品
ファミリの利点

オンセミのEliteSiC製品は、当社のエンドツーエンドのSiC製造能力とともに優れた性能と厳格な品質基準を提供します。

EliteSiC MOSFETファミリ

オンボードチャージャ

DC急速EV充電

高出力産業用

トラクションインバータ

UPS/エネルギー貯蔵

ソーラーインバータ

ファミリ

シリーズ

650 V

900 V

1200 V

1700 V

主な用途

詳細

詳細

詳細

M3S

..120M3S

M3T

..120M3x SCWT dependent

ファミリ

電圧

最適化

最適な用途

1200V, 1700V

大きいダイ寸法で低いRTH

スイッチング損失と導通損失のバランス

ソリッドステートリレー(SSR)
トラクション&モータドライバ
ハードスイッチングアプリケーション

650V, 750V, 1200V

低速域アプリケーション用最低RDS(ON)

ソリッドステートリレー(SSR)
トラクション&モータドライバ

1200V

15V〜18Vゲート駆動による高速スイッチングアプリケーション

ハードスイッチング・アプリケーション
LLC共振アプリケーション

EliteSiCダイオードファミリ

ファミリ

650 V

900 V

1200 V

1700 V

主な用途

詳細

詳細

詳細

ファミリ

電圧

最適化

650V, 1200V, 1700V

大きいダイ寸法でRTHが低く、サージ定格電流が最も高い

ウィーン整流器入力段

650V

低VF高速スイッチング

PFCステージ
出力整流

1200V

低VF高速スイッチング

PFCステージ
出力整流

EliteSiC MOSFET

より高速なスイッチング、よりコンパクトな最終製品

1200V M3S EliteSIC MOSFETは、業界をリードする競合製品と比較して、ハードスイッチングアプリケーションで電力損失を最大20%削減します。

製品ページ

EliteSiCモジュール

フルSiC & ハイブリッドSiCモジュール

オンセミのパッケージ技術は、次の点を最適化しています。

優れた性能
ディスクリートデバイスより低い熱抵抗
業界標準のピン配置に適合し、実装が容易なパッケージ

ハイブリッドモジュールフルSiCモジュール

評価/開発キット

SiCダイオード

SiC MOSFET

SiCモジュール

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シリコンカーバイド（SiC）

テクノロジー

シリコンカーバイド（SiC）ダイオード

シリコンカーバイド（SiC）MOSFET

パワーモジュール

シリコンカーバイド(SiC)モジュール

Si/SiC ハイブリッドモジュール

完全なエンドツーエンドのSiCサプライチェーン

エピ層のRDS(ON)とVDS(max) 設定方法

オンセミのEliteSiC製品は品質と信頼性を保証します。

設計の現実を正確に予測する物理的でスケーラブルな SPICE モデル

SiC のエンドツーエンド製造能力で持続可能な未来を促進

オンセミのEliteSiC製品ファミリの利点

EliteSiC MOSFETファミリ

EliteSiCダイオードファミリ

より高速なスイッチング、よりコンパクトな最終製品

フルSiC & ハイブリッドSiCモジュール

評価/開発キット

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