シリコンカーバイド(SiC)

SiC ダイオード、SiC MOSFET、SiC モジュールなどのワイドバンドギャップによる、パワー設計をサポートするデバイスの完全なエコシステムを提供しています。

By Technology

シリコンカーバイド(SiC)ダイオード
これらの製品は、全く新しい技術を用いて、シリコン製品よりも優れたスイッチング性能と高い信頼性を提供します。
シリコンカーバイド(SiC)MOSFET
これらの製品は、高速かつ堅牢な設計に貢献し、高効率からシステムサイズとコストの削減に至る、システムの利点を享受できます。

シリコンカーバイド(SiC)技術の利点

SiCデバイスは、シリコンデバイスと比較して、絶縁破壊電界強度が10倍、電子飽和速度が2倍、エネルギーバンドギャップが3倍、熱伝導率が3倍の性能を持っています。

最高レベルの信頼性

オンセミのSiCデバイスは、特許取得済みの終端構造を採用しており、過酷な環境条件においても優れた堅牢性を備えています。

H3TRB Testing (High Temp/Humidity/Bias), 85C/85% RH/85% V (960V)


堅牢性

オンセミのショットキーバリアSiCダイオードは、リークに関して常にクラス最高の性能を維持しています。


耐久性

SiCダイオードは、サージとアバランシェに対して優れた耐久性を持っています。

Surge current waveform of a 650V/30A onsemi SiC diode
Avalanche current waveform of a 650V/30A onsemi SiC diode

ワイドバンドギャップアプリケーション