シリコンカーバイド(SiC)

オンセミ(onsemi)のEliteSiC製品は、当社のエンドツーエンドのSiC製造能力とともに優れた性能と厳格な品質基準を提供します。

テクノロジー

シリコンカーバイド(SiC)ダイオード
これらの製品は全く新しい技術を採用し、シリコン製品に比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を提供します。
シリコンカーバイド(SiC)MOSFET
これらの製品は高速かつ堅牢に設計されており、サイズとコストを低減した高効率なシステムの設計を可能にします。

パワーモジュール

シリコンカーバイド(SiC)モジュール

これらの製品は、SiC MOSFETとSiCダイオードを統合しています。昇圧モジュールはソーラーインバータのDC-DCステージに使用され、定格電圧1200 VのSiC MOSFETとSiCダイオードを使用しています。

Si/SiC ハイブリッドモジュール

Si/SiCハイブリッドモジュールは、IGBT、シリコンダイオード、SiCダイオードを統合しており、ソーラーのDC-ACステージで使用されます。

完全なエンドツーエンドのSiCサプライチェーン

オンセミはSiCデバイスの供給を保証するため、SiC基板から組立、パッケージングまで社内サプライチェーンを構築し、持続可能なエコシステムの急速な成長を支えます。

SiC のエンドツーエンド製造能力で持続可能な未来を促進

オンセミのSiCエンドツーエンド製造は、より持続可能な未来に貢献しています。この製造能力とEliteSiC製品ファミリは、EV、エネルギーインフラ、産業用ドライブ・アプリケーションのニーズを満たす、優れた性能と厳格な品質基準の製品を提供します。

ビデオを見る SiC end-to-end manufacturing

オンセミのEliteSiC製品
ファミリの利点

オンセミのEliteSiC製品は、当社のエンドツーエンドのSiC製造能力とともに優れた性能と厳格な品質基準を提供します。

EliteSiC MOSFETファミリ

ファミリ

シリーズ

650 V

900 V

1200 V

1700 V

主な用途

M1

詳細

M1

On-Board Charger UPS/Energy Storage DC Fast EV Charging Solar Inverter High Power Industrial Traction

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M2

詳細

M2

On-Board Charger DC Fast EV Charging High Power Industrial Solar Inverter

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M3

詳細

M3S

On-Board Charger DC Fast EV Charging Solar Inverter

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M3T

UPS/Energy Storage Traction High Power Industrial

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ファミリ

電圧

最適化

最適な用途

M1

1200V, 1700V

大きいダイ寸法で低いRTH


スイッチング損失と導通損失のバランス

  • ソリッドステートリレー(SSR)
  • トラクション&モータドライバ
  • ハードスイッチングアプリケーション

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M2

650V, 750V, 1200V

低速域アプリケーション用 最低RDS(ON)

  • ソリッドステートリレー(SSR)
  • トラクション&モータドライバ

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M3

1200V

15V〜18Vゲート駆動による高速スイッチングアプリケーション

  • ハードスイッチング・アプリケーション
  • LLC共振アプリケーション

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EliteSiCダイオードファミリ

ファミリ

650 V

900 V

1200 V

1700 V

主な用途

D1

詳細

On-Board Charger UPS/Energy Storage DC Fast EV Charging Solar Inverter High Power Industrial

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D2

詳細

On-Board Charger DC Fast EV Charging High Power Industrial

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D3

詳細

On-Board Charger UPS/Energy Storage DC Fast EV Charging Solar Inverter High Power Industrial

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ファミリ

電圧

最適化

最適化

D1

650V, 1200V, 1700V

大きいダイ寸法でRTHが低く、サージ定格電流が最も高い

  • ウィーン整流器入力段

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D2

650V

低VF高速スイッチング

  • PFCステージ
  • 出力整流

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D3

1200V

低VF高速スイッチング

  • PFCステージ
  • 出力整流

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EliteSiC MOSFET

より高速なスイッチング、よりコンパクトな最終製品

1200V M3S EliteSIC MOSFETは、業界をリードする競合製品と比較して、ハードスイッチングアプリケーションで電力損失を最大20%削減します。

製品ページ
EliteSiCモジュール

フルSiC & ハイブリッドSiCモジュール

オンセミのパッケージ技術は、次の点を最適化しています。

  • 優れた性能
  • ディスクリートデバイスより低い熱抵抗
  • 業界標準のピン配置に適合し、実装が容易なパッケージ

評価/開発キット

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