先陣を切る

オンセミは AI と電動化のさらなる飛躍を推進します

AI および電動化に向けた技術革新

onsemiオンセミの縦型窒化ガリウム (vGaN) 技術は、AI と電動化の時代に向けて業界最高レベルの効率、電力密度、堅牢性を実現する画期的なパワー半導体技術です。

ニューヨーク州シラキュースにあるオンセミの製造施設で開発・製造されたこの次世代の「GaN-on-GaN」設計は、電流をチップ表面ではなく垂直方向に流すことで、小型の両面冷却パッケージにおいて比類のない性能を発揮します。

注目リソース

よりスマートに、より迅速に。高性能な設計を支えるオンセミのvGaN技術情報をご覧ください

vGaN とは

Power density is the new currency of competitiveness. Discover what Vertical GaN (vGaN) technology is, and how onsemi’s proprietary process delivers higher voltage, faster switching, and record efficiency for AI data centers, electric vehicles, and renewable energy systems.

オンセミの vGaN の特長

電力密度の向上

最大 1,200 ボルト以上を実現。

効率性の向上

エネルギー損失と発熱を低減し、効率が最大 50% 向上。

コンパクトな設計

エンドシステムのサイズと重量を削減。

最先端の製造技術

ニューヨーク州シラキュースにある 約6,000 平方メートルの施設。オンセミ独自のGaN-on-GaNプロセスにより、GaN基板上にGaN層を成直接長させる。

パッケージの革新

両面冷却パッケージ。

将来性

vGaN は、従来のソリューションよりもはるかに高いスイッチング周波数を実現。

主要なテクノロジー・アプリケーション

縦型 GaN 半導体

AI データセンター

800V DC-DC コンバータの電力密度の向上と部品点数の削減により、ラック当たりのコストを大幅に削減。

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縦型 GaN 半導体

電気自動車

小型化・軽量化・効率化されたインバータにより、EV の航続距離を延長。

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縦型 GaN 半導体

再生可能エネルギー

ソーラーインバータ高耐圧化とエネルギー損失の低減。高速かつ効率的・高密度の電力供給が可能なエネルギー貯蔵システム。

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縦型 GaN 半導体

航空宇宙、防衛、セキュリティ

より高い性能、強化された堅牢性、コンパクトな設計。

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