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ディスクリート&パワーモジュール

当社のポートフォリオは、高電圧、中電圧、低電圧の全範囲のパワーディスクリートデバイス、および先進的なパワーモジュールソリューションを提供しています。この中には、IGBT、MOSFET、SiC、Si/SiC ハイブリッド、ダイオード、SiC ダイオード、インテリジェントパワーモジュール (IPM)が含まれます。

テクノロジー

MOSFET
低電圧、中電圧、高電圧およびデュアルMOSFETなど、さまざまなアプリケーションに対応する幅広い製品ポートフォリオを提供しています。
パワーモジュール
IGBT、MOSFET、SiC、Si/SiC ハイブリッド、ダイオード、SiC ダイオードなどを内蔵する先進のパワーモジュール製品と、インテリジェントパワーモジュール(IPM)を提供しています。
シリコンカーバイド (SiC)
オンセミのEliteSiC製品は、当社のエンドツーエンドのSiC製造能力とともに優れた性能と厳格な品質基準を提供します。
保護回路付きMOSFET
さまざまなタイプの保護回路内蔵のローサイドおよびハイサイドのスマートディスクリート・デバイスにより、クラス最高の突入電流管理を提供します。
レクティファイア
低電力損失と高効率という理想的な性能特性を持つ標準および高速リカバリ・レクティファイアです。
ショットキー・ダイオード & ショットキー整流器
レクティファイア、インバータ、ダイオードの用途に最適な低損失・大電流のショットキー・レクティファイアとショットキー・ダイオードです。
オーディオ・トランジスタ
高出力オーディオ回路向けのオーディオ用トランジスタを提供します。
ダーリントントランジスタ
汎用アンプや低速スイッチングアプリケーション向けのダーリントントランジスタとトランジスタペアです。
ESD保護ダイオード
ESDおよびサージ保護のために特別に設計された保護ダイオードおよびダイオードアレイです。
汎用および低VCE (sat) トランジスタ
低VCE(sat)トランジスタなど、NPN、PNPおよび相補型バイポーラトランジスタの幅広いポートフォリオです。
デジタル・トランジスタ (BRT)
バイアスを集積したバイアス抵抗トランジスタ(BRT)は、単一のデバイスと外付け抵抗バイアスネットワークを置き換えます。
JFET
低ノイズアンプやインピーダンス変換、アナログスイッチング、チョッパなどの用途に適したNチャネル、Pチャネルおよび NPN 極性の JFETです。
小信号スイッチング・ダイオード
さまざまなアプリケーションで一般的に使用される高速・小信号のスイッチングダイオードのポートフォリオです。
ツェナーダイオード
電圧調整回路用に設計され、幅広い動作電圧と定格電力を提供します。
RFトランジスタ
高周波および汎用アンプ用に設計されたRFトランジスタです。
RFダイオード
高周波用PINダイオード、ショットキーバリアダイオード、バラクタなどのRFダイオードのポートフォリオです。
モノリシックマイクロ波集積回路 (MMIC)
フラットで高ゲインの特性を持つモノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)のRFアンプとミキサです。
IGBT
高性能な電力変換アプリケーションに最高の信頼性を提供する IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor: 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)です。