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新製品

AC-DCコントローラ & レギュレータ
 

NCP1340  NCP1341  High-Voltage, Quasi-Resonant Controller Featuring Valley Lock-Out Switching

  • QR frequency jittering reduces EMI signature
  • Maximize efficiency with valley switching and lockout
  • Quiet-Skip™ technology enables operation outside audible range
 
 

バイポーラ・トランジスタ
 

NSVF4009SG4  RF Transistor for Low Noise Amplifier Applications

  • Low-noise performance of 1.1 dB enables clear signal amplification
  • High cut-off frequency of 25 GHz for use in high frequency applications
  • High gain of 17 dB enables reception of small signals
 
 

クロック & データ分配
 

NB7VPQ701M  USB 3.1 リドライバ、1.8 V、シングルチャンネル

  • 5 Gbps , 10 Gbps データレートの USB 3.1 Gen 1, USB 3.1 Gen 2 をサポート
  • 選択可能なイコライゼーション、ディエンファシス、および出力振幅で、インターシンボルインターフェイス(ISI)による損失を補填
  • 超省電力モード向けのチップイネーブルピン
 
 

DC-DCコントローラ, コンバータ, レギュレータ
 

NCP140  CMOS Voltage Regulator, Very Low Dropout, 150 mA, Capacitor Free

  • Available in two XDFN4 packages suited for space constrained applications
  • Very low dropout for low power dissipation, 170 mV Typical at 2.5 V @ 150 mA
  • Low output noise makes it suitable for noise sensitive applications

NCP163  LDO Regulator, Ultra-Low Noise and High PSRR, 250 mA, for RF and Analog Circuits

  • Ultra Low Output Noise, 6.5 µVrms, well suited for noise sensitive applications
  • Ultra High PSRR, 92 dB @ 1 kHz, for power sensitive devices like the Wi-Fi module
  • Ultra Low Quiescent current, 12 µA, for improved battery life

LV52133A  プログラマブル DC-DC コンバータ, ±5 V

  • 単一インダクタ構造によるデュアル出力
  • スタンバイ時の低電流消費 (0.3 µA) により動作時間の拡大を実現
  • 低インラッシュ電流 (100 mA未満) により安全な動作が可能

LC709501F  USB Type-C & Quick Charge™ 3.0対応, 1セルリチウムイオン & リチウムイオンポリマー2次電池向けパワーバンクコントローラ

  • Qualcomm® Quick Charge™ 対応で、充電時間の短縮
  • バッテリレベル、RSOC、充電時間を表示する電池残量計測機能
  • 外付けMOSFETの選択により電流のスケーリングが容易

LV56851UV  リニア電圧レギュレータ

  • I2C-bus 通信インタフェース対応の5系統出力
  • バッテリ電圧とACC検知,リセット機能
  • サーマルシャットダウン,過電流と過電圧保護
 
 

ESD & EMI保護ダイオード & フィルタ
 

ESD7241  超低容量 ESD 保護

  • 超低容量(最大1pF未満) による良好なシグナル・インテグリティ
  • 低クランプ電圧より下流の機器におけるサージ現象への良好な保護を実現
  • 空間制限のある設計時の保護回路に適したX2DFN2 1.0 x 6.0 mm パッケージ
 
 

IGBT & FET
 

EFC3C001NUZ  デュアルNチャネル,パワーMOSFET, 20 V, 6 A

  • 1, 2 セルバッテリ保護に最適な2.5 V 駆動および共通ドレイン
  • ESD 保護ダイオードによりゲートを保護
  • オン状態時の抵抗30mΩの特性によりバッテリ消費低減を実現

NVATS5A107PLZ  NVATS5A108PLZ  NVATS5A114PLZ  NVATS5A302PLZ  車載用PチャネルパワーMOSFET, -40 V ~ -60 V

  • 10.4 mΩ または 13 mΩ の低オン抵抗
  • -55 A から -80 A までの高電流対応
  • 過電圧動作への対応として100%アバランシェテスト実施

NSVJ3910SB3  25 V, 20 ~ 40 mA, Nチャネル JFET

  • 40 mS高順伝達アドミタンスで小信号を容易に受信
  • 高破壊電圧により堅牢は回路設計が可能
  • 低ノイズ性能でクリアな信号送信に貢献

NVATS5A106PLZ  NVATS5A112PLZ  NVATS5A113PLZ  NVATS5A304PLZ  車載用PチャネルパワーMOSFETs, -40 V ~ -60 V

  • 最小6.5 mΩの低オン抵抗
  • -120 A の高電流対応
  • 過電圧動作への対応として100%アバランシェテスト実施
 
 

イメージセンサ&プロセッサ
 

KAE-08151  インターライン型 EMCCD イメージセンサ, 8.1 MP

  • サブルクスから白昼の環境下での撮像が可能
  • 22 mm 対角の光学フォーマット, 1:1アスペクト比で顕微鏡検査アプリケーションに最適
  • モノクロームおよびBayerカラーの設定が可能

PYTHON480  CMOS Image Sensor, Global Shutter, 0.48 MP (SVGA)

  • Global Shutter technology with Correlated Double Sampling
  • SVGA resolution with 120 fps
  • Compact CSP package for space constrained designs
 
 

モータ & ロードドライバ
 

NCV7518  FLEXMOSヘックス・ローサイドMOSFETプリドライバ

  • パリティおよびフレーム・エラー検出機能付き16ビットSPI
  • バッテリ電圧に対するレシオメトリック診断基準電圧および電流
  • 負荷に対してスケーラブル

LC898123F40XC  光学式手ブレ補正 (OIS) / オートフォーカス (AF) コントローラ & ドライバ

  • オールインワン・タイプ(コントローラ&ドライバ)のため、OIS/AFシステムの構築が容易
  • 内蔵DSPにより柔軟な光学式手振れ補正のアルゴリズムで高性能を実現
  • 内蔵40KBフラッシュメモリにより校正データとDSPプログラムの保存が可能 (外付け不揮発性メモリ不要)

LV8728MR  ステッパモータドライバ, PWM, 定電流制御

  • 1/128 マイクロステップ駆動により静音駆動と低振動を実現
  • 0.55 Ω (上側+ 下側)の低オン抵抗で電力消費を低減
  • 様々なアクチュエータに適した豊富な励磁モード

NCV7535  SPI controlled H-bridge and Dual-Half Bridge pre-driver

  • Compatible with low-ohmic standard level N-Channel MOSFETs for improved thermal management
  • N-Channel MOSFET specific pin for reverse battery protection
  • Active and passive freewheeling for improved thermal management
 
 

パワーモジュール
 

STK57FU394AG-E  STK5MFU3C1A-E  2-in-1 PFC and Inverter Intelligent Power Module (IPM), 600 V, 15 A or 30 A

  • Internal bootstrap circuit enables single control power supply for high side pre-driver
  • Over current protection for inverter and PFC terminals
  • Externally accessible embedded thermistor for substrate temperature measurement
 
 

電圧 & 電流管理
 

NIS5452  NIS5431  電子ヒューズ

  • 内蔵のパワーFET により外付けFETの使用を排除
  • 外部部品1つでユーザによる電流制限の制御が可能
  • 負荷回路を駆動させながら内部過電圧クランプにより出力電圧を制限
 
 

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