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IGBT & FET

IGBT - NチャネルMOSFET – PチャネルMOSFET

オン・セミコンダクタは、IGBT、JFET、Nチャネル、Pチャネル、コンプリメンタリMOSFET、および保護付きMOSFETを提供しています。

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絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ (IGBT)  (101)
   
 

絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ

電子イグニッション、フラッシュ、モータ・ドライバ、その他高電流スイッチング・アプリケーション用絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ(IGBT)。
技術資料 & デザイン・リソース
チュートリアル (2) データシート (131)
アプリケーション ノート (30) パッケージ図 (12)
シミュレーション・モデル (34) ビデオ (1)
リファレンス・マニュアル (1)  
 
 
JFET  (27)
   
 

NチャネルおよびPチャネル・ジャンクション・フィールド効果トランジスタ

RF、ミキシング、ショッピング回路用ジャンクション・フィールド効果トランジスタ(JFET)。

技術資料 & デザイン・リソース
アプリケーション ノート (4) データシート (56)
シミュレーション・モデル (45) パッケージ図 (15)
 
 
MOSFET  (732)
   
 

Nチャネル、PチャネルおよびコンプリメンタリMOSFET

パワー変換およびスイッチング回路用NチャネルおよびPチャネル・メタル・オキサイド・セミコンダクタ・フィールド効果トランジスタ (MOSFET) 。

技術資料 & デザイン・リソース
設計&開発ツール (4) データシート (1187)
デザイン・ノート (1) パッケージ図 (102)
チュートリアル (6) ビデオ (5)
アプリケーション ノート (48) 評価ボード文書 (9)
シミュレーション・モデル (2167) 評価/開発ツール (10)
 
 
保護回路付きMOSFETs  (20)
   
 

SMARTDISCRETES™

電流制限、温度制限、ESD保護、または電流ミラーを含む自己保護型MOSFET。
技術資料 & デザイン・リソース
デザイン・ノート (1) データシート (39)
アプリケーション ノート (3) パッケージ図 (12)
シミュレーション・モデル (4) ビデオ (3)
 
 
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NSVJ3557SA3  NSVJ2394SA3  N-Channel JFET, 15 V, 10 to 32 mA

  • High forward transfer admittance of 35 mS and 38 mS, respectively, for reception of the small signals
  • Low noise performance contributes to clear signal transmission
  • Small Ciss suitable for use with AM Radio frequency band

EFC4C002NL  30 V Power MOSFET for 3-Cell Lithium-ion Battery Protection

  • Ultra Low On-Resistance of 2.6 mΩ for improved efficiency
  • Gate Charge of 45 nC enables fast startup
  • Small WLCSP package for space constrained designs