P チャネル・パワー MOSFET、-60V、-4A、100mΩ

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Overview

このパワー MOSFET は、ゲート電荷の最小化とオン抵抗の低減に特化して設計された、オン・セミコンダクターのトレンチ技術を使用して製造されています。このデバイスは、低ゲート電荷駆動と低オン抵抗を要件とするアプリケーションに適しています。

  • Reverse Battery Protection
  • High Side Load Switch
  • Head Light Unit
  • DC-DC Module
  • Low On-Resistance
  • High ESD protection HBM:H1C, CDM:C5
  • RoHS compliance
  • 4V drive

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

NVC6S5A354PLZT1G

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

CPH-6

1

260

REEL

3000

N

-60

100

P-Channel

Single

20

-2.6

-4

1.9

-

135

-

14

600

Price N/A

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