錫ウィスカ

緩和戦略

リード・メッキ材料を SnPb から100% マットSn(錫) に変更することによって、業界でのウィスカ成長の懸念が高まります。オン・セミコンダクターは錫ウィスカの発生を抑えるために、以下の緩和戦略を採用しました。

• メッキ厚を5 µmから7.5 µm（最小）、10 µm（標準）に増大
• メッキの24時間以内に150℃で1時間のアニールを導入
• 厳密なメッキ工程管理を導入

ウィスカ試験

オン・セミコンダクターは、JEDEC規格JESD22A121のガイドラインに従って錫ウィスカ試験を実施しました。試験は半光沢錫リード仕上げの合金42と銅リードフレーム材を利用したパッケージで実施しました。ウィスカの成長を評価するのに使用した試験条件は次の3つです。温度サイクリング（-55/+85℃）、保存周囲温度（30℃/60%RH）、および高温/高湿度保存（60℃/87%RH）

オン・セミコンダクターの社内ウィスカ受入仕様は最大長50µです。今日までのウィスカ試験の結果はすべて、これらの仕様に合格しています。

オン・セミコンダクターの組立施設から基本ウィスカの試験結果を入手できます。各レポートをクリックしてダウンロードしてください。

合金42リードフレームへのマット錫メッキ使用に関する錫ウィスカ・レポート（オン・セミコンダクター施設、中国四川省楽山）
合金42リードフレームへのマット錫メッキ使用に関する錫ウィスカ・レポート（オン・セミコンダクター施設、マレーシア・スレンバン）
銅リードフレームへのマット錫メッキ使用に関する錫ウィスカ・レポート（オン・セミコンダクター施設、マレーシア・スレンバン）
銅リードフレームへのマット錫メッキ使用に関する錫ウィスカ・レポート（オン・セミコンダクター施設、フィリピン・カルモナ）

錫ウィスカ・アプリケーション・ノート