オンセミ、サーバやテレコム向けの高性能・低損失 MOSFET 「SUPERFET V」 ファミリを発表

2021年12月8日

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新器件提供卓越的开关特性,使电源能符合80 PLUS Titanium能效标准

2021年12月8日 —领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),发布新的600 V SUPERFET®V MOSFET系列。这些高性能器件使电源能满足严苛的能效规定,如80 PLUS Titanium,尤其是在极具挑战性的10%负载条件下。600 V SUPERFET系列下的三个产品组--FAST、Easy Drive和FRFET经过优化,可在各种不同的应用和拓扑结构中提供领先同类的性能。

600 V SUPERFET V系列提供出色的开关特性和较低的门极噪声,从而降低电磁干扰(EMI)--这对服务器 电信系统是个显著的好处。此外,强固的体二极管和较高的VGSS(DC +/- 30 V)增强了系统可靠性。

安森美先进电源分部高级副总裁兼总经理Asif Jakwani说:“80 Plus Titanium认证以应对气候变化为目标,要求服务器和数据存储硬件在10%负载条件下的电源能效水平达90%,在处理50%负载时的能效达96%。我们的SUPERFET V系列的FAST、Easy Drive和FRFET版本正在满足这些要求,提供强固的方案,确保持续的系统可靠性。”

FAST版本在硬开关拓扑结构(如高端PFC)中提供极高能效,并经过优化以提供更低的门极电荷(Qg)和EOSS损耗,实现快速开关。该版本的最初器件包括 NTNL041N60S5H(41 mΩ RDS(on))和NTHL185N60S5H(185 mΩ RDS(on))),都采用TO-247封装。NTP185N60S5H则采用TO-220封装,NTMT185N60S5H采用8.0mm x 8.0mm x 1.0mm的Power88封装,保证达到湿度敏感等级MSL 1,并具有开尔文(Kelvin)源架构以改善门极噪声和开关损耗。

Easy Drive版本适用于硬开关和软开关拓扑结构,包含一个内置门极电阻(Rg)及经优化的内置电容。它们适用于许多应用中的一般用途,包括PFC和LLC。在这些器件中,门极和源极之间的内置齐纳二极管的RDS(on) 超过120 mΩ,对门极氧化物的应力更小,ESD耐用性更高,从而提高封装产量,降低不良率。目前供应的两款器件 NTHL099N60S5 NTHL120N60S5Z的RDS(on)为99 mΩ和120 mΩ,均采用TO-247封装。

快速恢复(FRFET®)版本适用于软开关拓扑结构,如移相全桥(PSFB)和LLC。它们的优势是快速体二极管,并提供降低的Qrr和Trr 。强固的二极管耐用性确保更高的系统可靠性。内置齐纳二极管的 NTP125N60S5FZ 的RDS(on)为125 mΩ,采用TO-220封装,而 NTMT061N60S5F 的RDS(on)为61 mΩ,采用Power88封装。损耗最低的器件是 NTHL019N60S5F,RDS(on)仅19 mΩ,采用TO-247封装。

オンセミ (onsemi) について

オンセミ (Nasdaq: ON) は、より良い未来を築くために、破壊的なイノベーションを推進しています。オンセミは、自動車と産業用エンドマーケットに注力し、自動車の電動化と安全性、持続可能なエネル ギーグリッド、産業オートメーション、5G およびクラウドインフラなどのメガトレンドにおける変化を加速させています。オンセミは、高度に差別化された革新的な製品ポートフォリオにより、世界の最も複雑な課題を 解決するインテリジェントなパワーおよびセンシングのテクノロジを創出し、より安全でクリーンでスマートな世界を 実現する方法をリードしています。

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