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BTB12-35MA: 12 A, 35 mA IGT 3 Quadrant Triac

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Silicon Bidirectional Thyristors
Rev. 1 (87.0kB)
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Product Overview
製品説明
This triac is designed for high performance full-wave ac control applications where high noise immunity and commutating di/dt are required.
特長   利点
     
  • High Immunity to dV/dt - 1500 V/s minimum at 125C
 
  • Minimizes Snubber Networks for Protection
  • Blocking Voltage to 800 V
   
  • On-State Current Rating of 12 Amperes RMS at 25°C
   
  • Uniform Gate Trigger Currents in Three Quadrants
   
  • Industry Standard TO-220AB Package
   
  • High Commutating dI/dt - 3.0 A/ms minimum at 125°C
   
  • These are Pb-Free Devices
   
アプリケーション   最終製品
  • Motor Control
 
  • White Goods
技術資料 & デザイン・リソース
アプリケーション ノート (7) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
BTB12-600CW3G Active
Pb-free
12 A, 35 mA IGT 3 Quadrant Triac, 600 V TO-220-3 221A-07 NA Tube 50 $0.5
BTB12-800CW3G Active
Pb-free
12 A, 35 mA IGT 3 Quadrant Triac, 800 V TO-220-3 221A-07 NA Tube 50 $0.54
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4
Avnet   (2016-06-27 00:00) : <100
Mouser   (2016-06-27 00:00) : >1K
ON Semiconductor   (2016-06-25 00:00) : 2,000
PandS   (2016-06-27 00:00) : <100
マーケットリードタイム(週) : 8 to 12
PandS   (2016-06-27 00:00) : <100
Datasheet: Silicon Bidirectional Thyristors
Rev. 1 (87.0kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description IT(RMS) Max (A) VDRM Min (V) ITSM Max (A) IGT Max (mA) Package Type
Pb-free
 Active     12 A, 35 mA IGT 3 Quadrant Triac, 600 V 
12
600
120
35
TO-220-3
Pb-free
 Active     12 A, 35 mA IGT 3 Quadrant Triac, 800 V 
12
800
120
35
TO-220-3
Datasheet: Silicon Bidirectional Thyristors
Rev. 1 (87.0kB)
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Product Overview
Case Outline
221A-07   
パッケージ
Datasheet: Silicon Bidirectional Thyristors
Rev. 1 (87.0kB)
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