|
オン・セミコンダクター、要求の厳しいアプリケーション向けに900V、1200V SiC MOSFET の新製品を発表新製品のSiC MOSFETによって、高性能と高効率を達成し、過酷な条件下での動作が実現2020年3月16日(米国2020年3月10日発表): 高効率エネルギーへのイノベーションを推進するオン・セミコンダクター(本社 米国アリゾナ州フェニックス、Nasdaq: ON)は、炭化ケイ素(シリコンカーバイド、SiC)MOSFET 製品ファミリに新たに 2 品種を追加し、ワイドバンドギャップ (Wide bandgap、WBG) デバイスのサポート範囲を拡大したと発表しました。この新製品は、太陽光発電用インバータ、電気自動車(EV)用の車載充電器(オンボードチャージャ)、無停電電源装置(UPS)、サーバー用電源、充電ステーションなど、要求が厳しく、高成長が期待されるさまざまな用途に向けて、シリコン(Si) MOSFETでは不可能だった性能を実現しました。 新製品となる1200ボルト(V) および900VのNチャネルSiC MOSFETは、シリコン製品と比較して、より高速なスイッチング性能と強化された信頼性を提供します。逆回復電荷の少ない高速な真性ダイオードにより、電力損失を大幅に低減し、動作周波数を高め、ソリューション全体の電力密度を高めます。 チップサイズの小型化により、より低いデバイス容量とゲート電荷 Qgの低減(220nC)をもたらし、高周波動作時のスイッチングロスを低減して、更に高い動作周波数を実現します。これらの機能強化により、Si ベースのMOSFETと比較して 効率が向上し、EMIが低減し、使用する受動部品の数とサイズを削減できます。SiC MOSFETは非常に堅牢であり、Siデバイスと比較して、サージ定格がより高く、アバランシェ能力と短絡の耐久性が改善されており、要求の厳しい最新の電力アプリケーションに不可欠な、より高い信頼性と長い寿命を提供します。順方向電圧がより低い場合、しきい値のないオン状態特性が得られ、デバイスの導通時に生じる静的損失が低減します。 1200Vデバイスの定格は最大103A(ID Max.)で、900Vデバイスは最大118Aとなっています。より高い電流を必要とするアプリケーションに対しては、オン・セミコンダクターの MOSFET の正の温度係数/温度不依存の特性により、並列動作で容易に対応できます。 今回発表した SiC MOSFETデバイスの新製品について、オン・セミコンダクターのパワーソリューションズ・グループのパワーMOSFET部門でバイスプレジデント兼ジェネラルマネージャを務めるゲイリー・ストレイカー(Gary Straker)は、次のようにコメントしています。「最新の再生可能エネルギーをはじめ自動車、IT、テレコムのアプリケーションが要求する効率と電力密度の困難な目標を満たすためには、高性能、高信頼性の MOSFETデバイスが必要です。オン・セミコンダクターのWBG SiC MOSFETは、シリコンデバイスの性能を超えて、低損失、高動作温度、高速スイッチング、EMIの改善、信頼性の向上を実現します。オン・セミコンダクターは、さらに、エンジニアリングコミュニティーを支援し、設計プロセスを簡素化し高速化する幅広いリソースとツールを提供します」 オン・セミコンダクターのすべての SiC MOSFETは、鉛(Pb)フリーおよびハロゲン化合物フリーであり、自動車アプリケーション向けのデバイスはAEC−Q100認定済でPPAP対応品です。すべてのデバイスは、業界標準のTO-247またはD2PAKパッケージで提供されます。
関連情報と資料:
Follow @onsemi_jp オン・セミコンダクターについて # # # オン・セミコンダクターおよびオン・セミコンダクターのロゴは、Semiconductor Components Industries, LLCの登録商標です。本ドキュメントに記載されている、それ以外のブランド名および製品名はすべて、各所有者の登録商標または商標です。オン・セミコンダクターは、本ニュースリリースで同社Webサイトを参照していますが、Webサイト上の情報はここには記載されていません。
|