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NTB082N65S3F: パワー MOSFET、N チャネル、SUPERFET® III、FRFET®、650 V、40 A、82 mΩ、D2PAK

Datasheet: MOSFET — N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 40 A, 82Ω
Rev. 4 (239kB)
製品概要
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» 製品変更通知
SUPERFET III MOSFET は、オン・セミコンダクターの最新の高電圧スーパージャンクション (SJ) MOSFET ファミリであり、電荷バランス技術を活用して優れた低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現します。この先端技術は、伝導損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供、極端なdv / dtレートに対応するよう構成されています。その結果、SUPERFET III MOSFETは、小型化と高効率化を目的としたさまざまな電源システムに非常に適しています。SUPERFET III FRFET MOSFET の最適化された逆回復性能により、追加のコンポーネントが削除され、システムの信頼性が向上します。
特長   利点
     
  • 700 V @ TJ = 150 oC
 
  • Higher system reliability at low temperature operation
  • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 81 nC)
 
  • Lower switching loss
  • Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 722 pF)
 
  • Lower switching loss
  • Optimized Capacitance
 
  • Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
  • Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)
 
  • Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit
  • Typ. RDS(on) = 70 mΩ
   
  • 100% Avalanche Tested
   
  • RoHS Compliant
   
アプリケーション   最終製品
  • Telecommunication
  • Cloud system
  • Industrial
 
  • Telecom power
  • Server power
  • Solar / UPS
  • EV charger
Availability & Samples
Specifications
Interactive Block Diagram
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
NTB082N65S3F Active
Pb-free
Halide free
NTB082N65S3F D2PAK-3 / TO-263-2 418AJ 1 245 Tape and Reel 800 $2.547
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
NTB082N65S3F  
 $2.547 
Pb
H
 Active   
N-Channel
Single
650
30
5
40
313
-
-
82
-
81
3410
D2PAK-3 / TO-263-2
Case Outline
418AJ   
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