IGBT、600V、3A、1.2V、DPAK、プレーナ

Overview

当社の絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ (IGBT) は、非常に低い伝導損失を提供します。このデバイスは、非常に低いオン電圧降下が機能として要求されるアプリケーション向けに設計されています。

  • 高電流能力:
  • 非常に低い飽和電圧: VCE(sat) = 1.2 V @ IC = 3 A
  • 高入力インピーダンス

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

FGD3N60LSDTM

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

1

260

REEL

2500

No

-

600

6

1.2

1.5

1

0.25

234

2.64

12.5

-

-

40

Yes

$0.4457

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FGD3N60LSDTM-T

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

1

260

REEL

2500

No

-

600

6

-

1.5

1.9

0.3

234

2.64

12.5

-

-

40

-

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