IGBT、フィールドストップ IV/4 リード

Overview

この絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ (IGBT) は、堅牢で費用効率が高いフィールドストップ IV トレンチ構造が特長であり、要求の厳しいスイッチング・アプリケーションで優れた性能を発揮し、低オン抵抗電圧も最小スイッチング損失も実現します。さらに、この新しいデバイスは TO−247−4L にパッケージされており、このパッケージは標準の TO−247−3L パッケージと比較して Eon 損失を大幅に削減できます。この IGBT は UPS と太陽光発電のアプリケーションに最適です。低フォワード電圧のソフトで高速な共パッケージ型フリーホイール・ダイオードが内蔵されています。

  • Solar Inverter
  • Uninterruptible Power Inverter Supplies
  • Neutral Point Clamp Topology

  • Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology
  • TJmax = 175°C
  • Improved Gate Control Lowers Switching Losses
  • Separate Emitter Drive Pin
  • TO-247-4L for Minimal Eon Losses
  • Optimized for High Speed Switching
  • These are Pb-Free Devices

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Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

FGH75T65SQDNL4

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-4

NA

0

TUBE

450

Y

-

650

75

1.43

1.6

1.26

1.25

134

10

128

-

-

375

Yes

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