HGTG30N60A4

IGBT、600V、SMPS

Overview

HGTG30N60A4 は、MOSFET の高入力インピーダンスとバイポーラ・トランジスタのオンステートでの低伝導損失の長所を組み合わせています。この IGBT は、高周波で動作するため低伝導損失が不可欠な高電圧スイッチングアプリケーションの多くに最適です。このデバイスは UPS や溶接のような高速スイッチングアプリケーション向けに最適化されています。

アプリケーション

その他の産業用

特長

60A
600V @ T_C = 110°C
低飽和電圧: V_CE(sat) = 1.8 V @ I_C = 30A
通常の立ち下がり時間。 . . . . . . . . . T_Jで 58ns = 125 ℃

材料組成

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

Family

V_(BR)CES Typ (V)

I_C Max (A)

V_CE(sat) Typ (V)

V_F Typ (V)

E_off Typ (mJ)

E_on Typ (mJ)

T_rr Typ (ns)

I_rr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

E_AS Typ (mJ)

P_D Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

HGTG30N60A4

Last Shipments

TO-247-3

340CK

TUBE

450

600

1.8

0.24

0.28

225

463

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