IGBT、600V、SMPS

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Overview

HGTG30N60A4 は、MOSFET の高入力インピーダンスとバイポーラ・トランジスタのオンステートでの低伝導損失の長所を組み合わせています。この IGBT は、高周波で動作するため低伝導損失が不可欠な高電圧スイッチングアプリケーションの多くに最適です。このデバイスは UPS や溶接のような高速スイッチングアプリケーション向けに最適化されています。

  • その他の産業用
  • 60A
  • 600V @ TC = 110°C
  • 低飽和電圧: V CE(sat) = 1.8 V @ I C = 30A
  • 通常の立ち下がり時間。 . . . . . . . . . TJで 58ns = 125 ℃

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V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

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HGTG30N60A4

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H

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TUBE

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N

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600

60

1.8

-

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0.28

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