NGTB50N65S1

IGBT、FSII、650V、50A

Overview

この絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ (IGBT) は、堅牢で費用効率が高いトレンチ構造が特長であり、要求の厳しいスイッチング・アプリケーションで優れた性能を発揮し、低オン抵抗電圧も最小スイッチング損失も実現します。この IGBT は溶接アプリケーションに最適です。低フォワード電圧のソフトで高速な共パッケージ型還流ダイオードが内蔵されています。

アプリケーション

Welding

最終製品

Industrial

特長

TJmax = 175°C
Soft Fast Reverse Recovery Diode
Optimized for High Speed Switching
These are Pb−Free Devices

材料組成

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

Family

V_(BR)CES Typ (V)

I_C Max (A)

V_CE(sat) Typ (V)

V_F Typ (V)

E_off Typ (mJ)

E_on Typ (mJ)

T_rr Typ (ns)

I_rr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

E_AS Typ (mJ)

P_D Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

NGTB50N65S1WG

Obsolete

TO-247-3

340AL

TUBE

650

2.1

2.65

0.53

1.25

128

300

Yes

Price N/A

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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