IGBTs | NGTB50N65S1

IGBT、FSII、650V、50A

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Overview

この絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ (IGBT) は、堅牢で費用効率が高いトレンチ構造が特長であり、要求の厳しいスイッチング・アプリケーションで優れた性能を発揮し、低オン抵抗電圧も最小スイッチング損失も実現します。この IGBT は溶接アプリケーションに最適です。低フォワード電圧のソフトで高速な共パッケージ型還流ダイオードが内蔵されています。

  • Welding

  • Industrial

  • TJmax = 175°C
  • Soft Fast Reverse Recovery Diode
  • Optimized for High Speed Switching
  • These are Pb−Free Devices

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VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

NGTB50N65S1WG

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