Pチャネル Power Trench® MOSFET -150V、-9A、160mΩ

Overview

このPチャネルMOSFETは、高度なPowerTrench®技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化しするように構成され、優れたスイッチング性能のために最適化されています。

  • Industrial
  • Portable and Wireless
  • 最大rDS(on) = 160 mΩ @ VGS = -10 V、ID = -2.4 A
  • 最大rDS(on) = 185 mΩ @ VGS = -6 V、ID = -2.2 A
  • 超低RDS-on中電圧Pチャンネルシリコン技術、低Qgに最適化
  • この製品は、負荷スイッチ用途だけでなく高速スイッチングにも最適化します。
  • 100%のUILがテスト済み
  • RoHS対応

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDMC86261P

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

WDFN-8

1

260

REEL

3000

Yes

P-Channel

PowerTrench® T1

Power 33 (u8FL)

Low-Medium Voltage

Standard

0

Single

0

-150

160

±25

-4

-9

40

-

-

-

11

1021

3.7

197

87

4.7

$0.7173

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