Small Signal MOSFETs | FDC3601N

デュアルNチャネル100V仕様PowerTrench® MOSFET 1.0A、500mΩ

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Overview

これらNチャネル100V仕様MOSFETは、優れたスイッチング性能のために低デート電荷を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度なPowerTrench®プロセスを使用して製造されます。これらのデバイスは、より大規模、より高価なSO-8およびTSSOP-8パッケージが実用的でないアプリケーション向けに、非常に小さなフットプリントで並外れた消費電力を提供するように設計されています。

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  • 1.0 A、100 V
  • RDS(on) = 500 mΩ@ VGS = 10 V
  • RDS(on) = 500 mΩ@ VGS = 6 V
  • 少量のゲート電荷(3.7nC通常)
  • 高速スイッチング速度。
  • 超低RDS(ON)
    用の高性能トレンチ技術。
  • SuperSOT™ -6 パッケージ: 小さなフットプリント (標準SO-8より72％小さい)。低プロファイル (厚さ 1 mm)。

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDC3601N

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CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

419BL

1

260

REEL

3000

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

SC-6

Small Signal

Standard

0

Single

0

100

500

±20

4

1

0.96

-

-

-

3.7

153

1

-

5

1

$0.1945

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDC3601N

Equivalent to wafer fab process: TR

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TR

1

1603286882

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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