Small Signal MOSFETs | FDC6301N

デュアルNチャネル Digital FET 25V、0.22A、4Ω

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Overview

これらのデュアルNチャネルLogic Level拡張モード電界効果トランジスタは独自の高セル密度のDMOS技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化するよう構成されています。このデバイスは、デジタルトランジスタの代替として、特に低電圧アプリケーション向けに設計されています。バイアスレジスタは必要ないため、これらのNチャネルFETは、さまざまなバイアスレジスタのいくつものデジタルトランジスタに取って代わることができます。

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  • 25 V、0.22 A 連続で、0.5 A ピーク
  • RDS(ON) = 5 Ω @ VGS= 2.7 V
  • RDS(ON) = 4 Ω @ VGS= 4.5 V
  • 非常に低いレベルのゲートドライブ要件によって、3V回路で直接操作が可能。 VGS(th) < 1.5V
  • ESD堅牢性のためのゲートソースツェナー >6kV人体モデル。

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDC6301N

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CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

419BL

1

260

REEL

3000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

SC-6

Small Signal

Logic

0

Dual

0

25

-

8

1.5

0.22

0.9

Q1=Q2=5000

Q1=Q2=4000

1.64

0.49

9.5

-

-

-

-

$0.1036

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDC6301N

Equivalent to wafer fab process: TP

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TP

8

1061074922

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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