P チャネル PowerTrench® MOSFET、2.5V 仕様 -20 V、-4.0 A、65 mΩ

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Overview

この P チャネル 2.5V 仕様 MOSFET は、優れたスイッチング性能のために低デート電荷を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された PowerTrench® プロセスを使用して製造されています。これらのデバイスは、より大規模なパッケージが実用的でないアプリケーション向けに、非常に小さなフットプリントで並外れた消費電力を提供するように設計されています。

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  • 最大 rDS(ON) = 65mΩ @ VGS = -4.5 V、ID = -4.0A
  • 最大 rDS(ON) = 100mΩ @ VGS = -2.5 V、ID = -3.2A
  • 高速スイッチング速度。
  • 少量のゲート電荷 (11nC 通常)。
    超低rDS(ON)
    に対する高性能トレンチ技術。
  • SuperSOT™ -6 パッケージ: 小さなフットプリント (標準SO-8より72%小さい)。低プロファイル (厚さ 1 mm)。
  • 端子は鉛フリーでRoHS対応です。
  • Termination is Lead-free and RoHS Compliant

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDC642P

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CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

1

260

REEL

3000

N

P-Channel

PowerTrench® T1

SC-6

Small Signal

Logic

0

Single

0

-20

-

8

-1.5

-4

1.6

100

65

13

11

700

-

-

-

-

$0.1657

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