Small Signal MOSFETs | FDC6561AN

デュアル N チャネル PowerTrench® MOSFET、ロジックレベル、30V、2.5A、95mΩ

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Overview

これらの N チャネル・ロジックレベル MOSFET は、優れたスイッチング性能のために低デート電荷を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度な PowerTrench® プロセスを使用して製造されています。これらのデバイスは、小型が望ましく、特にバッテリ駆動システムでの低コスト DC/DC 変換が必要なすべてのアプリケーションに適しています。

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  • 2.5 A、30 V
  • RDS(ON) = 0.095 Ω @ VGS = 10 V
  • RDS(ON) = 0.145 Ω @ VGS = 4.5 V
  • 非常に高速なスイッチング
  • 少量のゲート電荷 ( 2.1nC通常
  • SuperSOT™ -6 パッケージ: 小さなフットプリント (標準SO-8より72％小さい)。低プロファイル (厚さ 1 mm)。

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDC6561AN

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CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

419BL

1

260

REEL

3000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

SC-6

Small Signal

Logic

0

Dual

0

30

Q1=Q2=95

20

3

2.5

0.96

-

Q1=Q2=145

-

2.3

220

-

-

-

-

$0.1985

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDC6561AN

Equivalent to wafer fab process: TR

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TR

1

3586390609

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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