30V NチャネルPowerTrench® MOSFET

Obsolete

Overview

このNチャンネルMOSFETは、rDS(on)スイッチング性能に最適化されたフェアチャイルドセミコンダクター社の高度なPower Trench® プロセスを使用して生産されます。

  • ノートブックPC
  • 最大 rDS(on) = 23 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 6.5 A
  • 最大 rDS(ON) = 30 mΩ @ VGS = 4.5 V、ID = 6.0 A
  • 超低rDS(on)用の高性能トレンチ技術。
  • 高速スイッチング速度。
  • RoHS対応

Tools and Resources

Product services, tools and other useful resources related to FDC8884

Buy/Parametrics Table

検索

Close Search

製品:

1

共有

Product Groups:

Orderable Parts:

1

製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDC8884

Loading...

Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

1

260

REEL

3000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

TSOT-23-6

Small Signal

Logic

0

Single

0

30

23

20

3

6.5

1.6

-

30

-

2.5

348

-

-

-

-

Price N/A

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

contact sales icon

Support on the go

Find and compare products, get support and connect with onsemi sales team.