Pチャネル PowerTrench® MOSFET、2.5V仕様、-1.2A、180mΩ

Obsolete

Overview

このPチャネルMOSFETは、優れたスイッチング性能のために低デート電荷を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度なPowerTrenchプロセスを使用して製造されます。これらのデバイスは、ポータブルエレクトロニクスアプリケーションに最適です。

  • ă�“ă�®čŁ˝ĺ“�ă�Żĺ¤šć§�ă�Şç”¨é€”ă�«é�©ă�—ă�źć±Žç”¨ĺ“�ă�§ă�™ă€‚

  • -1.2 A、-20 V。RDS(on) = 0.18 Ω @ VGS = -4.5 V RDS(on) = 0.25 Ω @ VGS = -2.5 V。
  • RDS(on) = 0.18 Ω @ VGS = -4.5 V
  • RDS(on) = 0.25 Ω @ VGS = -2.5 V
  • 少量のゲート電荷(3.3 nC通常)。
  • 超低RDS(ON)用高性能トレンチ技術。
  • コンパクトな業界標準SC70-6表面搭載型パッケージ

Tools and Resources

Product services, tools and other useful resources related to FDG312P

Product List

If you wish to buy products or product samples, please log in to your onsemi account.

検索

Close Search

製品:

1

共有

Product Groups:

Orderable Parts:

1

製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDG312P

Loading...

Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

1

260

REEL

3000

N

P-Channel

PowerTrench® T1

SC-88-6

Small Signal

Logic

0

Single

0

-20

-

8

-1.5

-1.2

0.75

NA

250

2.1

3.3

NA

-

-

-

-

Price N/A

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

contact sales icon

Support on the go

Find and compare products, get support and connect with onsemi sales team.