P チャネル・ロジックレベル PowerTrench® MOSFET -30 V、-1.6 A、190 mΩ

Obsolete

Overview

この P チャネル・ロジックレベル MOSFET は、優れたスイッチング性能を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度な PowerTrench プロセスを使用して製造されます。これらのデバイスは、インライン型の低い電力損失と高速スイッチングが必要な低電圧およびバッテリ駆動アプリケーションに最適です。

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  • -1.6 A、-30 A V。RDS(on) = 0.19 Ω @ VGS = -10 V。RDS(on) = 0.30 Ω @ VGS = -4.5 V。
  • RDS(on) = 0.19 Ω @ VGS = -10 V
  • RDS(on) = 0.30 Ω @ VGS = -4.5 V.
  • 少量のゲート電荷 (3.5nC 通常)。
  • 超低RDS(ON)用の高性能トレンチ技術
  • コンパクトな業界標準 SC70-6表面実装パッケージ

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDG316P

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

1

260

REEL

3000

N

P-Channel

PowerTrench® T1

SC-88-6

Small Signal

Logic

0

Single

0

-30

190

20

-3

-1.6

0.75

NA

-

4.2

3.5

NA

-

-

-

-

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