Small Signal MOSFETs | FDG6318PZ

デュアル P チャネル、デジタル FET -20 V、-0.5 A、780 mΩ

Obsolete

Datasheet

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Overview

これらのデュアル P チャネル・ロジックレベル・エンハンスメントモード MOSFET は、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に調整された当社独自のプロセスを使用して製造されています。このデバイスは、バイポーラ・デジタル・トランジスタおよび Small Signal MOSFET 向けに設計されています。

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  • -0.5A、-20V
  • RDS(ON) = 780 mΩ @ VGS = -4.5V
  • RDS(ON) = 1200 mΩ @ VGS = -2.5V
    非常に低レベルのゲートドライブ要件は、3V回路(VGS(TH) < 1.5V)で直接操作を可能にします。
  • ESD堅牢性のため (>1.4kV 人体モデル)のゲートソースツェナー 。
  • コンパクトな業界標準SC-70-6表面実装パッケージ。
  • Compact industry standard SC-70-6 surface mountpackage.

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDG6318PZ

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NA

Q1=Q2=1200

-

0.67

NA

-

-

-

-

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信頼性データ

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Device: FDG6318PZ

Equivalent to wafer fab process: TT

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TT

6

2104831460

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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