デュアル N & P チャネル・デジタル FET 25V

Last Shipments

Overview

これらのデュアル N & P チャネル・ロジックレベル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、独自の高セル密度の DMOS 技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化するよう構成されています。このデバイスは、バイポーラ・デジタル・トランジスタおよび Small Signal MOSFET の代替として、特に低電圧アプリケーション向けに設計されています。バイアス抵抗は必要ないため、このデュアルデジタル FET が、各種バイアス抵抗値のいくつもの異なるデジタルトランジスタに取って代わることができます。

  • ă�“ă�®čŁ˝ĺ“�ă�Żĺ¤šć§�ă�Şç”¨é€”ă�«é�©ă�—ă�źć±Žç”¨ĺ“�ă�§ă�™ă€‚
  • N-Ch 0.22 A、25 V、RDS(ON) = 4.0 Ω @ VGS= 4.5 V、RDS(ON) = 5.0 Ω @ VGS= 2.7 V。
  • P-Ch -0.14 A、-25 V、RDS(ON) = 10 Ω @ VGS= -4.5 V、RDS(ON) = 13 Ω @ VGS= -2.7 V。
  • 非常に小さなパッケージアウトラインSC70-6
  • 非常に低いレベルのゲートドライブ要件によって、3V回路 (VGS(th) <1.5 V) で直接動作が可能。
  • ゲート-ソースツェナー、ESD耐久性 (>6kV人体モデル)。

Tools and Resources

Product services, tools and other useful resources related to FDG6320C

Buy/Parametrics Table

検索

Close Search

製品:

1

共有

Product Groups:

Orderable Parts:

1

製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDG6320C

Loading...

Last Shipments

CAD Model

Pb

A

H

P

SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

1

260

REEL

3000

No

Complementary

PowerTrench® T1

SC-88-6

Small Signal

Logic

0

Dual

0

±25

-

-8

±1.5

N: 0.22, P: -0.14

0.3

N:5000, P:13000

N: 4000, P:10000

-

0.22

12

-

-

-

-

Price N/A

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

contact sales icon

Support on the go

Find and compare products, get support and connect with onsemi sales team.