Small Signal MOSFETs | FDMA908PZ

シングルPチャネル PowerTrench® MOSFET -12V、-12A、12.5mΩ

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Overview

このデバイスは、セルラーハンドセットやその他のウルトラポータブルアプリケーションのバッテリー充電またはロードスイッチ向けに特別に設計されています。オン抵抗が低いMOSFETおよびESDを対象としたツェナーダイオード保護を備えています。MicroFET 2x2パッケージは、その物理的サイズに対して並外れた熱性能を提供し、リニアモードアプリケーションに最適です。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.

  • 最大rDS(on) = 12.5 mΩ、VGS = -4.5 V、ID = -12 A
  • 最大 rDS(on) = 18 mΩ @ VGS = -2.5 V、ID = -10 A
  • 最大 rDS(on) = 28 mΩ @ VGS = -1.8 V、ID = -8 A
  • 低プロファイル-最大0.8mm、新パッケージ MicroFET2x2 mm
  • HBM ESD保護レベル >2.8 kV通常(注 3)
  • ハロゲン化合物、アンチモン酸化物フリー
  • RoHS対応

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDMA908PZ

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Small Signal

Logic

0

Single

0

-12

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-12

2.4

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8.6

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDMA908PZ

Equivalent to wafer fab process: RN

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

RN

9

5181260142

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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