Small Signal MOSFETs | FDS4935BZ

デュアル-30V PチャネルPowerTrench® MOSFET、-6.9A、22mΩ

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Overview

このPチャネルMOSFETは、同期または従来のスイッチングPWMコントローラーおよび充電器を使用して、DC/DCコンバーターの全体的な効率を改善するために特別に設計されています。これらのMOSFETは、同等のRDS（ON）仕様を持つ他のMOSFETよりも高速なスイッチングおよび低ゲート電荷を特長としています。その結果、（非常に高い周波数でも）駆動が容易で安全なMOSFETと、全体的な効率が向上したDC / DC電源設計を実現します。

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  • -6.9 A、-30 V
  • RDS(ON) = 22 mΩ @ VGS = –10 V
  • RDS(ON) = 35 m @ VGS = – 4.5 V
  • バッテリ用の拡張VGSS範囲 (-25V)
  • ESD保護ダイオード (注 3)
  • 超低RDS(ON)用高性能トレンチ技術。
  • 高い電力および電流処理能力

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDS4935BZ

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751EB

1

260

REEL

2500

N

P-Channel

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Logic

0

Dual

0

-30

Q1=Q2=22

25

-3

-6.9

1.6

-

Q1=Q2=35

-

16

1360

-

-

-

-

$0.364

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDS4935BZ

Equivalent to wafer fab process: TV

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TV

0

1399545734

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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