Small Signal MOSFETs | FDS6673BZ_F085

Pチャネル PowerTrench® MOSFET -30V、-14.5A、7.8mΩ

Obsolete

Datasheet

製品

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Overview

このPチャネルMOSFETは、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度なPower Trenchプロセスを使用して製造されます。このデバイスは、ノートPCやポータブルバッテリーパックで一般的な電源管理およびロードスイッチアプリケーションに最適です。

  • インフォテインメント
  • ポータブルナビゲーション
  • その他
  • パワートレイン
  • 安全と管理
  • 快適性と利便性
  • ボディエレクトロニクス
  • 車両安全システム
  • その他のオートモーティブ

  • 最大 rDS(on) = 7.8 mΩ、 VGS = -10 V、ID = -14.5 A
  • 最大 rDS(on) = 12 mΩ、 VGS = -4.5 V、ID = -12 A
  • バッテリ用の拡張VGS範囲 (-25V)
  • HBM ESD保護レベル6.5kV通常(注3)
  • 超低rDS(ON)用の高性能トレンチ技術
  • 高電力および電流処理能力
  • RoHS対応
  • AEC Q101認定取得

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDS6673BZ-F085

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Small Signal

Logic

0

Single

0

-30

7.8

25

-3

-14.5

2.5

NA

-

25

88

NA

-

-

-

-

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDS6673BZ-F085

Equivalent to wafer fab process: TV

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TV

0

1399545734

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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