PチャネルPowerTrench® MOSFET、-30V、-11A、13mΩ

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Overview

このPチャネルMOSFETは、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度なPower Trenchプロセスを使用して製造されます。このデバイスは、ノートPCやポータブルバッテリーパックで一般的な電源管理およびロードスイッチアプリケーションに最適です。

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  • Power Management
  • Load Switch

  • 最大 rDS(on) = 13mΩ @ VGS = -10V、ID = -11A
  • 最大 rDS(on) = 21.8mΩ @ VGS = -4.5V、ID = -9A
  • バッテリ用途の拡張 VGS範囲 (-25V)
  • 通常5.4 KVのHBM ESD保護レベル(注3)
  • 超低rDS(on)用の高性能トレンチ技術。
  • 高い電力および電流処理能力
  • RoHS対応

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDS6675BZ

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

N

P-Channel

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Logic

0

Single

0

-30

13

25

-3

-11

2.5

21.8

13

-

25

1855

-

-

-

-

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