デュアル N チャネル PowerTrench® SyncFET™ 30V

Obsolete

Overview

FDS6900AS は、ノート PC やその他のバッテリ駆動の電子機器にさまざまな周辺電圧を供給する同期 DC:DC 電源の 2 つのシングル SO- 8 MOSFET とショットキー・ダイオードを置き換えるように設計されています。FDS6900AS には、電力変換効率を最大化するように設計された 2 つのユニークな 30V、N チャネル、ロジックレベル、PowerTrench MOSFET が含まれています。ハイサイド・スイッチ (Q1) はスイッチング損失の低減に特に重点を置いて設計されており、ローサイド・スイッチ (Q2) は導通損失を低減するように最適化されています。また、Q2 には、当社のモノリシック SyncFET 技術を使用したショットキー・ダイオードが組み込まれています。

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  • Q2: 導電損失を最小限にするよう最適化、同期FET ショットキー ボディーダイオードを含む
    8.2A、30V RDS(on)=22mΩ@VGS=10V
    RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V
  • Q1: 低スイッチング損失に最適化、少量のゲート電荷 (11nC通常)
    6.9A、30V RDS(on)=27mΩ@VGS =10V
    RDS(ON)=34mΩ@VGS=4.5V
  • 100% RG (Gate Resistance) Tested

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDS6900AS

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

N

N-Channel

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Logic

0

Dual

0

30

Q1: 27, Q2; 22

20

3

Q1: 6.9, Q2: 8.2

2

NA

-

9

5.8

NA

-

-

-

-

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