Small Signal MOSFETs | FDS86267P

P チャネル・シールド・ゲート PowerTrench® MOSFET -150V、-2.2A、255mΩ

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Datasheet

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Overview

この P チャネル MOSFET は、シールド・ゲート技術を組み込んだ高度な PowerTrench® プロセスを使用して製造されています。このプロセスは、オン抵抗向けに最適化され、同様に優れたスイッチング性能を維持します。

  • Active Clamp Switch
  • Load Switch

  • シールドゲートMOSFET技術
  • 最大 rDS(on) = 255 mΩ @ VGS = -10 V、ID = -2.2 A
  • 最大 rDS(on) = 290 mΩ @ VGS = -6 V、ID = -2 A
  • 低Qgに最適化された超低rDS(on)中電圧Pチャンネルシリコン技術
  • この製品は、負荷スイッチ用途だけでなく高速スイッチングにも最適化されています
  • 100% UILテスト済み
  • RoHS 対応

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDS86267P

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751EB

1

260

REEL

2500

Y

P-Channel

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Standard

0

Single

0

-150

255

±25

-4

-2.2

2.5

-

-

-

7

806

1.9

157

54

1.6

$0.5597

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDS86267P

Equivalent to wafer fab process: T7

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

T7

11

3294609671

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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