Small Signal MOSFETs | FDS8858CZ

デュアル N & P チャネル PowerTrench® MOSFET 30V

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Overview

これらのデュアル N&P チャネル・エンハンスメントモード・パワー MOSFET は、オン抵抗を最小限に抑えながら優れたスイッチング性能を維持するように特別に構成された高度な PowerTrench® プロセスを使用して製造されています。電力損失と高速スイッチングが必要です。これらのデバイスは、低インライン電力損失と高速スイッチングが必要な低電圧およびバッテリー駆動アプリケーションに最適です。

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  • Inverter
  • Synchronous Buck
  • Q1: Nチャンネル
  • 最大 RDS(on) = 17mΩ @ VGS = 10V、ID = 8.6A
  • 最大 RDS(on) = 20mΩ @ VGS = 4.5V、ID = 7.3AQ2: Pチャンネル
  • 最大 RDS(on) = 20.5mΩ @ VGS = -10V、ID = -7.3A

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CAD Models

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDS8858CZ

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751EB

1

260

REEL

2500

No

Complementary

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Logic

0

Dual

0

±30

N: 1.0, P:20.5

25

±3

N: 8.6, P: -7.3

2

-

N: 20.0, P:34.5

15

33

1675

-

-

-

-

$0.3709

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDS8858CZ

Equivalent to wafer fab process: T5,TV

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

T5,TV

0

275069112

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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