デュアル N & P チャネル PowerTrench® MOSFET 30V

Active

Overview

これらのデュアル N&P チャネル・エンハンスメントモード・パワー MOSFET は、オン抵抗を最小限に抑えながら優れたスイッチング性能を維持するように特別に構成された高度な PowerTrench® プロセスを使用して製造されています。電力損失と高速スイッチングが必要です。これらのデバイスは、低インライン電力損失と高速スイッチングが必要な低電圧およびバッテリー駆動アプリケーションに最適です。

  • ă�“ă�®čŁ˝ĺ“�ă�Żĺ¤šć§�ă�Şç”¨é€”ă�«é�©ă�—ă�źć±Žç”¨ĺ“�ă�§ă�™ă€‚
  • Inverter
  • Synchronous Buck

  • Q1: Nチャンネル
  • 最大 RDS(on) = 17mΩ @ VGS = 10V、ID = 8.6A
  • 最大 RDS(on) = 20mΩ @ VGS = 4.5V、ID = 7.3AQ2: Pチャンネル
  • 最大 RDS(on) = 20.5mΩ @ VGS = -10V、ID = -7.3A

Tools and Resources

Product services, tools and other useful resources related to FDS8858CZ

Product List

If you wish to buy products or product samples, please log in to your onsemi account.

検索

Close Search

製品:

1

共有

Product Groups:

Orderable Parts:

1

製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDS8858CZ

Loading...

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

N

Complementary

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Logic

0

Dual

0

±30

N: 1.0, P:20.5

25

±3

N: 8.6, P: -7.3

2

-

N: 20.0, P:34.5

15

33

1675

-

-

-

-

$0.3709

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

contact sales icon

Support on the go

Find and compare products, get support and connect with onsemi sales team.