Small Signal MOSFETs | FDS89161LZ

デュアル N チャネル・シールドゲート PowerTrench® MOSFET 100 V、2.7A、105mΩ

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Datasheet

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Overview

この N チャネル・ロジックレベル MOSFET は、優れたスイッチング性能を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度な PowerTrench® プロセスを使用して製造されます。ESD 電圧レベルを高めるために G-S ツェナーを追加しています。

  • 家電製品
  • DC-DC Conversion

  • シールドゲートMOSFET技術
  • 最大RDS（オン）= 105 mΩ@ VGS = 10 V、 ID = 2.7 A
  • 最大RDS（オン）= 160 mΩ@ VGS = 4.5 V、 ID = 2.1 A
  • 超低RDS（オン）
    向けの高パフォーマンストレンチ技術
  • 広く使われている表面実装パッケージ中の高電力および電流の処理機能
  • CDM ESD保護レベル>2 KV通常（注 4）
  • 100% UILテスト済み
  • RoHS準拠

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDS89161LZ

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751EB

1

260

REEL

2500

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Logic

0

Dual

0

100

Q1:105.0, Q2: 105.0

±20

2.2

2.7

2

-

Q1:160.0, Q2: 160.0

-

2.1

227

0.7

20

44

3

$0.5026

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDS89161LZ

Equivalent to wafer fab process: T7

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

T7

11

3294609671

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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