このデュアル N チャネル MOSFET は、従来のパワー MOSFET と比較して機能を追加します。これらは次のとおりです。1. ドレインからソースへの電圧フィードバック信号。2. 以前は外部ディスクリート回路が必要であったゲートドライブ無効化制御機能。これらの機能を MOSFET 内に組み込むことで、プリント回路基板のスペースを節約しています。ドレイン-ソース間電圧フィードバック機能は、ドレイン-ソース間電圧が 62V を超えると 5V レベルの出力を提供します。これにより、誘導負荷が蓄積エネルギーを消費するのにかかる時間を監視できます。複数のフィードバック信号は、監視回路の単一の入力に「OR」で接続できます。ゲート無効化機能により、ゲートの駆動信号に関係なくデバイスをオフにできます。この機能により、2 番目の制御回路は必要に応じて負荷を無効にすることができます。また、複数のデバイスを単一のオープンコレクタ/ドレイン制御トランジスタで制御できるように「OR」で接続することもできます。
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FDSS2407
Obsolete
Pb
A
H
P
SOIC-8
1
260
REEL
2500
No
N-Channel
PowerTrench® T1
NA
Small Signal
Logic
0
Dual
0
62
Q1: 110.0, Q2: 110.0
±20
3
3.3
2.27
NA
-
13
3.3
NA
2
60
140
16
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