N チャネル・ロジックレベル ゲート・デュアル MOSFET 60V、3.3A、132mΩ

Obsolete

Overview

このデュアル N チャネル MOSFET は、従来のパワー MOSFET と比較して機能を追加します。これらは次のとおりです。1. ドレインからソースへの電圧フィードバック信号。2. 以前は外部ディスクリート回路が必要であったゲートドライブ無効化制御機能。これらの機能を MOSFET 内に組み込むことで、プリント回路基板のスペースを節約しています。ドレイン-ソース間電圧フィードバック機能は、ドレイン-ソース間電圧が 62V を超えると 5V レベルの出力を提供します。これにより、誘導負荷が蓄積エネルギーを消費するのにかかる時間を監視できます。複数のフィードバック信号は、監視回路の単一の入力に「OR」で接続できます。ゲート無効化機能により、ゲートの駆動信号に関係なくデバイスをオフにできます。この機能により、2 番目の制御回路は必要に応じて負荷を無効にすることができます。また、複数のデバイスを単一のオープンコレクタ/ドレイン制御トランジスタで制御できるように「OR」で接続することもできます。

  • パワートレイン
  • Automotive Injector Driver
  • Solenoid Driver

  • SO-8パッケージの62V、132m、5VロジックレベルゲートデュアルMOSFET
  • 5V ドレインからソース電圧への5Vロジックレベルフィードバック信号。 配線で複数のデバイスをORでまとめて、単一のモニター回路の入力にすることができます。
  • ゲート駆動無効化入力。 複数のデバイスを単一の無効化用トランジスターでコントロールできます。
  • AEC Q101認定

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDSS2407

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

N

N-Channel

PowerTrench® T1

NA

Small Signal

Logic

0

Dual

0

62

Q1: 110.0, Q2: 110.0

±20

3

3.3

2.27

NA

-

13

3.3

NA

2

60

140

16

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