Small Signal MOSFETs | FDT457N

N チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタ 30V、5A、60mΩ

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Datasheet

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Overview

これらの N チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、独自の高セル密度の DMOS 技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化するように構成されており、優れたスイッチング性能を提供します。これらの製品はノート PC の電力管理、バッテリ駆動回路、DC モータ制御などのような低電圧、低電流のアプリケーションに好適です。

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  • 5 A、30 V。RDS(ON) = 0.06 Ω @ VGS = 10 V
    RDS(ON) = 0.090 Ω @ VGS = 4.5 V
  • 超低RDS(ON)
    用の高密度セル設計
  • 広く使われている表面実装パッケージ中の高電力および電流の処理機能

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDT457N

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-223-4 / TO-261-4

318H-01

1

260

REEL

4000

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

SC-4

Small Signal

Logic

0

Single

0

30

60

20

3

5

3

-

90

-

4.2

235

-

-

-

-

$0.2859

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDT457N

Equivalent to wafer fab process: TQ

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TQ

0

297078770

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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