Small Signal MOSFETs | FQD12N20

パワー MOSFET、N チャネル、QFET®、200 V、9.0 A、280 mΩ、DPAK

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Overview

この N チャネル・エンハンスメントモード・パワー MOSFET は、独自のプレーナ・ストライプおよび DMOS 技術を使用して製造されています。この高度な MOSFET 技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチモード電源、アクティブ力率補正 (PFC)、および電子ランプバラストに適しています。

  • LED TV
  • CRT/RPTV

  • 9.0A、 200V、 RDS(on) = 0.28Ω @VGS = 10 V
  • 少量のゲート電荷 (通常 18 nC)
  • 低 Crss ( 通常 18 pF)
  • 高速スイッチング
  • 100%電子なだれテスト済み
  • 改良されたdv/dt機能

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FQD12N20TM

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Single

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FQD12N20TM

Equivalent to wafer fab process: 3D

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

3D

10

304347029

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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