Small Signal MOSFETs | FQT13N06

パワー MOSFET、N チャネル、QFET®、60 V、2.8 A、140 mΩ、SOT-223

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この N チャネル・エンハンスメントモード・パワー MOSFET は、当社独自のプレーナ・ストライプおよび DMOS 技術を使用して製造されています。この高度な MOSFET 技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチ・モード電源、オーディオ・アンプ、DC モータ制御、および可変スイッチング電源アプリケーションに適しています。

  • その他の産業用
  • 2.8A、60V、RDS(on) = 140mΩ(最大) @VGS = 10 V、ID = 1.4A
  • 少量のゲート電荷 (通常 5.8nC)
  • 低Crss (通常 15pF)
  • 100%電子なだれテスト済み

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FQT13N06TF

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-223-4 / TO-261-4

318H-01

1

260

REEL

4000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

SOT-223-4

Small Signal

Standard

0

Single

0

60

140

±25

4

2.8

2.1

-

-

-

5.8

240

2.5

40

90

15

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FQT13N06TF

Equivalent to wafer fab process: 3D

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

3D

10

2342695283

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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