Small Signal MOSFETs | FQT2P25

P チャネル QFET® MOSFET -250 V、-0.55 A、4.0 Ω

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これら P チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、独自のプレーナ・ストライプ、DMOS 技術を使用して製造されています。特に、この高度な技術は、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギーパルスに対応するよう構成されています。これらのデバイスは、高効率スイッチング DC/DC コンバータに最適です。

  • High Efficiency Switching DC/DC Converters
  • -0.55 A、-250 V、RDS(on) = 4.0 Ω (最大) @ VGS = -10 V、ID = -0.275 A
  • 少量のゲート電荷 (通常 6.5 nC）
  • 低Crss (通常 6.5 pF）
  • 100%電子なだれテスト済み

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FQT2P25TF

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-223-4 / TO-261-4

318H-01

1

250

REEL

4000

No

P-Channel

PowerTrench® T1

SOT-223-4

Small Signal

Standard

0

Single

0

-250

4000

-5

-5

-0.55

2.5

-

-

-

6.5

190

3

400

40

6.5

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FQT2P25TF

Equivalent to wafer fab process: 3D

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

3D

10

2342695283

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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