Small Signal MOSFETs | HUF75639G3

N チャネル UltraFET パワー MOSFET 100 V、56 A、25 mΩ

Active

Datasheet

製品

Similar Products

Overview

これらの N チャネル・パワー MOSFET は、革新的な UltraFET プロセスを使用して製造されています。この高度なプロセス技術により、各シリコン面積の最大限の低オン抵抗を実現し、卓越した性能を提供します。このデバイスは、アバランシェ・モードで高エネルギーに対応でき、ダイオードは短時間での逆回復と蓄積電荷を果たします。ポータブルおよびバッテリ駆動製品のスイッチング・レギュレータ、スイッチング・コンバータ、モータ・ドライバ、リレー・ドライバ、低電圧バス・スイッチ、電源管理など、電力効率が重要なアプリケーションでの使用を目的として設計しました。

  • AC-DC商用パワーサプライ - サーバー & ワークステーション
  • ワークステーション
  • サーバー&メインフレーム

  • 56A、100V
  • SPICEおよびSABER温度インピーダンスモデル
  • 温度補償PSPICEおよび SABER™ 電気モデル
  • ピーク電流対パルス幅曲線
  • UIS定格曲線 これらのNチャンネルパワーMOSFETは革新的なUltraFETプロセスを使用して製造されています。 この高度なプロセス技術はシリコン面積あたりの非常に低いオン抵抗を実現し、優れた性能を発揮します。 このデバイスは電子なだれモードで高エネルギーに耐えることができ、ダイオードは非常に低い逆回復時間と保存電荷を示します。 ポータブル機器およびバッテリー駆動製品のスイッチングレギュレーター、スイッチングコンバーター、モータードライバー、リレードライバー、低電圧バススイッチ、パワーマネージメントなど、電力効率が重要な用途のために設計されています。

Tools and Resources

Product services, tools and other useful resources related to HUF75639G3

CAD Model

CAD Model

材料組成

製品変更通知

信頼性

Product List

If you wish to buy products or product samples, please log in to your onsemi account.

検索

Close Search

製品:

1

共有

並べ替え

Product Groups:

┗

Orderable Parts:

1

製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

HUF75639G3

Loading...

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

340CK

NA

0

TUBE

450

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-247

Small Signal

Standard

0

Single

0

100

25

±20

4

56

200

-

-

-

57

2000

24

320

500

65

$1.672

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

1
contact sales icon

Support on the go

Find and compare products, get support and connect with onsemi sales team.

信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: HUF75639G3

Equivalent to wafer fab process: U2

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

U2

0

3282858009

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

新しい検索