Small Signal MOSFETs | IRFM120A

Power MOSFET、N チャネル、A-FET、100 V、2.3 A、0.2 Ω、SOT-223

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これら N チャネル拡張モード電界効果トランジスタは独自のプレーナ、DMOS 技術を使用して製造されています。特に、この高度な技術は、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギーパルスに対応するよう構成されています。これらのデバイスは、高効率スイッチング DC-DC コンバータ、スイッチモード電源、非割り込み電源用 DC-AC コンバータおよびモータ制御に最適です。

  • その他の産業用

  • 電子なだれ耐性技術
  • 堅牢なゲート酸化膜技術
  • 低入力容量
  • 改善されたゲート電荷
  • Extended Safe Operating Area
  • Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 100 V
  • Lower rDS(on) : 0.155 Ω (Typ.)

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

IRFM120ATF

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Lifetime

CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-223-4 / TO-261-4

318H-01

1

250

REEL

4000

N

N-Channel

PowerTrench® T1

SC-4

Small Signal

Standard

0

Single

0

100

200

±20

4

2.3

2.4

-

-

-

16

370

4.4

590

55

8

$0.2799

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: IRFM120ATF

Equivalent to wafer fab process: AC

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

AC

0

84016418

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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