Small Signal MOSFETs | NDC7003P

デュアル P チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタ -60V、-0.34A、5Ω

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Overview

これらのデュアル P チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、当社独自のトレンチ技術を使用して製造されています。この非常に高密度なプロセスで、オン抵抗の最小化を目的として設計されており、頑丈で信頼性の高い性能と高速なスイッチングを実現します。この製品は、低電流のハイサイドスイッチを必要とする定電圧アプリケーションに特に適しています。

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  • -0.34 A、-50 V.
  • RDS(ON) = 5 Ω @ VGS = -10 V
  • RDS(ON) = 7 Ω @ VGS = -4.7 V
  • 少量のゲート電荷
  • 高速スイッチング速度
  • 小さいRDS(ON)に対応する高性能なトレンチ技術
  • SuperSOT™ -6 パッケージ: 標準のSO-8より72%小さいフット、低プロファイル (厚さ 1 mm)

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

NDC7003P

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CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

419BL

1

260

REEL

3000

No

P-Channel

PowerTrench® T1

SC-6

Small Signal

Logic

0

NA

0

-60

Q1=Q2=5000

±20

-3.5

-0.34

0.96

-

Q1=Q2=7000

-

1.6

66

0.3

-

13

6

$0.086

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: NDC7003P

Equivalent to wafer fab process: TR

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TR

1

3586390609

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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