P チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタ

Overview

パワー SOT P チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、当社独自の高セル密度の DMOS 技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化しするように構成されており、優れたスイッチング性能を提供します。これらのデバイスは、ノート PC の電源管理、バッテリ駆動回路、および DC モータ制御などの低電圧アプリケーションに特に適しています。

  • ă�“ă�®čŁ˝ĺ“�ă�Żĺ¤šć§�ă�Şç”¨é€”ă�«é�©ă�—ă�źć±Žç”¨ĺ“�ă�§ă�™ă€‚

  • -7.5 A、-30 V
    RDS(ON) = 0.030 Ω @ VGS = -10 V
    RDS(ON) = 0.045 Ω @ VGS = -4.5 V
  • 超低RDS(ON)
    用の高密度セル設計
  • 広く使われている表面実装パッケージ中の高電力および電流の処理機能

Tools and Resources

Product services, tools and other useful resources related to NDT456P

Buy/Parametrics Table

検索

Close Search

製品:

1

共有

Product Groups:

Orderable Parts:

1

製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

NDT456P

Loading...

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-223-4 / TO-261-4

1

260

REEL

4000

Y

P-Channel

PowerTrench® T1

SC-4

Small Signal

Logic

0

NA

0

-30

30

20

-3

-7.5

3

-

45

-

47

1440

-

-

-

-

$0.5504

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

contact sales icon

Support on the go

Find and compare products, get support and connect with onsemi sales team.