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NSS1C200: Low VCE(sat) Transistor, PNP, 100 V, 2.0 A

Overview
Specifications
Datasheet: Low VCE(sat) Transistor, NPN, 100 V, 2.0 A
Rev. 5 (104.0kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (2)
Product Overview
製品説明
Low VCE(sat) Bipolar Junction Transistors (BJT) are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage VCEsat and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important.
特長   利点
     
  • High Current, Low VCEsat, ESD Robust, High Current Gain, High Cut Off Frequency, Low Profile Package, Linear Gain (Beta)
 
  • Improved Circuit Efficiency, Decreased Battery Charge Time, Reduce component count, High Frequency Switching, Smaller Portable Product, No distortion
  • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AECQ101
    Qualified and PPAP Capable
   
アプリケーション   最終製品
  • Load Switching, Battery Charging, External Pass Transistor, DC/DC Converter, Complimentary Driver, Current Extention & Low Drop Out Regulation, Cathode Florescent Lamp drive, Peripheral Driver - LEDs, Motors, Relays
 
  • Mobile Phones, PDAs, MP3 players, Computers, Power Supplies, Automotive Body Electronics, Toys.
技術資料 & デザイン・リソース
チュートリアル (1) シミュレーション・モデル (4)
アプリケーション ノート (1) データシート (1)
ホワイト・ペーパ (2) パッケージ図 (1)
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NSS1C200MZ4T1G Active
AEC Qualified
Pb-free
Halide free
Low VCE(sat) Transistor, PNP, 100 V, 2.0 A SOT-223-4 / TO-261-4 318E-04 1 Tape and Reel 1000 $0.176
NSS1C200MZ4T3G Active
AEC Qualified
Pb-free
Halide free
Low VCE(sat) Transistor, PNP, 100 V, 2.0 A SOT-223-4 / TO-261-4 318E-04 1 Tape and Reel 4000 $0.176
NSV1C200MZ4T1G Active
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
Low VCE(sat) Transistor, PNP, 100 V, 2.0 A SOT-223-4 / TO-261-4 318E-04 1 Tape and Reel 1000 $0.1936
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 13 to 16
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : <1K
マーケットリードタイム(週) : 13 to 16
マーケットリードタイム(週) : 13 to 16
Datasheet: Low VCE(sat) Transistor, NPN, 100 V, 2.0 A
Rev. 5 (104.0kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (2)
Product Overview

Product Compliance Status Description Polarity IC Continuous (A) V(BR)CEO Min (V) VCE(sat) Max (V) hFE Min hFE Max fT Min (MHz) PTM Max (W) Package Type
 AEC Qualified 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Low VCE(sat) Transistor, PNP, 100 V, 2.0 A   PNP   2   100   0.125   120   360   100   2   SOT-223-4 / TO-261-4 
 AEC Qualified 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Low VCE(sat) Transistor, PNP, 100 V, 2.0 A   PNP   2   100   0.125   120   360   100   2   SOT-223-4 / TO-261-4 
 AEC Qualified 
 PPAP Capable 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Low VCE(sat) Transistor, PNP, 100 V, 2.0 A   PNP   2   100   0.125   120   360   100   2   SOT-223-4 / TO-261-4 
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